[發明專利]將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法

有效

• 申請號: 200610116556.2
• 申請日: 2006-09-27
• 公開（公告）號: CN101154050A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 王雷;伍強
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，包括下列步驟：

(1)通過一透鏡成像系統，將在匯聚到硅片平面上的掩膜板圖形的像，成像到一焦平面空間像探測器陣列上并予以記錄；

(2)步進調節硅片平臺，根據像對比度的變化，計算出曝光區域上的每一點的最佳水平位置和最佳焦距位置；

(3)判斷當前的水平位置是否為最佳水平位置，若是則執行步驟(5)，否則執行步驟(4)；

(4)將測量結果反饋給硅片平臺，并通過調整硅片平臺的位置來對硅片平臺的水平位置進行調整，然后回到步驟(3)；

(5)判斷當前的焦距是否為最佳對焦位置，若是則開始進行曝光，否則執行步驟(6)；

(6)將測量結果反饋給硅片平臺，并通過調整硅片平臺在垂直方向上的掃描來對硅片平臺的焦距進行調整，然后回到步驟(5)。

2.根據權利要求1所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述透鏡成像系統至少包括：主透鏡組、傅立葉平面附近的45度角度分束板組、45度角度反光鏡組、投影透鏡、焦平面空間像探測器陣列、電子控制光快門組。

3.根據權利要求1或2所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，在所述步驟(1)中，是通過所述透鏡成像系統中45度角度分束板組中的下分束板，將在匯聚到硅片平面上的掩膜板圖形的像成像到一焦平面空間像探測器陣列上的。

4.根據權利要求1所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，測量時所述透鏡成像系統的透鏡組的數值孔徑可任意選擇，即可選取硅片曝光時所需要的實際的數值孔徑，或選用其他數值孔徑。

5.根據權利要求1所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，在執行所述步驟(2)時，通過對曝光區域上的點的像對比度進行抽樣測量，一次性確定硅片的整體水平最佳位置。

6.根據權利要求1所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，在執行所述步驟(2)時，通過對曝光區域上的點的像對比度進行抽樣測量，一次性確定硅片的整體焦距最佳位置。

7.根據權利要求5或6所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，進行所述抽樣測量時至少測量三個測量點，而對應的焦平面上的探測器的數量為至少3個。

8.根據權利要求7所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述測量點和對應的焦平面上的探測器的分布為均勻分布或隨機分布。

9.根據權利要求1所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述光刻機為掃描式光刻機或非掃描式光刻機。

10.根據權利要求書1所述的將光刻機中的硅片在線調節到最佳曝光位置的方法，其特征在于，所述光刻機的探測光源可為曝光用的I線、G線、248nm、193nm、157nm，或者其他紫外波段波長的激光或寬譜波源，或是可見光波段的探測光源。