[發明專利]形成硅外延測試片的方法

有效

• 申請號: 200610116100.6
• 申請日: 2006-09-15
• 公開（公告）號: CN101145500A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 王劍敏
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 王函

1.一種形成硅外延測試片的方法，包括如下步驟：首先選擇測試片，然后進行硅外延生長，最后測試外延的膜厚和方塊電阻，其特征在于，在選擇測試片之后，進行外延生長之前還包括如下步驟：第一步，HF-LAST濕法處理；第二步，淀積一層摻雜鍺硅薄膜。

2.如權利要求1所述的形成硅外延測試片的方法，其特征在于，第一步所述的HF-LAST濕法處理，該步驟將測試片表面的自然氧化膜充分去除。

3.如權利要求1所述的形成硅外延測試片的方法，其特征在于，第二步中所述鍺硅薄膜的膜厚為1000埃-5000埃，鍺組分的含量為10％-80％。

4.如權利要求1所述的形成硅外延測試片的方法，其特征在于，第二步中所述摻雜鍺硅薄膜的摻雜類型與所要監控的外延摻雜類型相反，摻雜濃度為1E15-1E18atom/cm³。

5.如權利要求1所述的形成硅外延測試片的方法，其特征在于，第二步中所述的鍺硅薄膜可以用碳鍺硅或碳化硅薄膜來代替。