[發明專利]平面超薄絕緣體上半導體溝道MOSFET及其制造方法有效
| 申請號： | 200610115911.4 | 申請日： | 2006-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN1941412A | 公開（公告）日： | 2007-04-04 |
| 發明（設計）人： | 程慷果;D·奇丹巴爾拉奧;B·J·格林;J·A·曼德爾曼;K·里姆 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 于靜;劉瑞東 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平面 超薄 絕緣體 上半 導體 溝道 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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