[發(fā)明專利]電子元件銅基片、電子元件和電子元件銅基片制備方法無效

申請?zhí)枺?/td>	200610115612.0	申請日：	2006-08-16
公開（公告）號：	CN1916234A	公開（公告）日：	2007-02-21
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	林和志;釘宮敏洋	申請（專利權(quán)）人：	株式會(huì)社神戶制鋼所
主分類號：	C23C16/42	分類號：	C23C16/42;C23C16/513
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司	代理人：	郭廣迅;林森
地址：	日本兵庫***	國省代碼：	日本;JP
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	電子元件銅基片制備方法
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專利分類

C 化學(xué)；冶金

C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的

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