[發明專利]一種測量小光斑尺寸的方法

無效

• 申請號: 200610114405.3
• 申請日: 2006-11-09
• 公開（公告）號: CN101178304A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 趙德剛;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G01B11/02
• 分類號: G01B11/02;G01B7/02;G01J1/42
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，該方法采用半導體光伏探測器，根據半導體光伏探測器光電流大小與入射光強度成正比的原理，通過改變入射光在半導體光探測器邊緣處移動時所導致半導體光探測器的電流響應度的變化，測量出入射光斑的尺寸大小。

2.根據權利要求1所述的測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，該方法具體包括：

A、在帶有精密光學移動平臺的樣品架上固定半導體光伏探測器，并將該半導體光伏探測器連接到數據采集系統，實時監測該半導體光伏探測器的光電流大??；

B、調節光路，將入射光的光斑尺寸調節到小于半導體光伏探測器的光敏面；

C、移動光學平臺，使入射光光斑垂直照射到半導體光伏探測器上，并處于靠近探測器光敏面的邊緣位置；

D、移動光學平臺，半導體光伏探測器光電流開始會處于穩定的值，當半導體光伏探測器光電流剛好要下降時，記錄此時光學平臺上的刻度；

E、繼續移動光學平臺，半導體光伏探測器光電流會繼續下降，當半導體光伏探測器光電流剛好下降到0時，記錄此時光學平臺上的刻度；

F、將記錄的所述兩個刻度值相減，得到入射光斑的尺寸大小。

3.根據權利要求1或2所述的測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，所述半導體光伏探測器為空間響應均勻的肖特基結構或者pin結構探測器。

4.根據權利要求3所述的測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，所述半導體光伏探測器的響應截止波長大于入射光斑的波長。

5.根據權利要求1或2所述的測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，所述半導體光伏探測器在測試過程中為零偏壓工作。

6.根據權利要求1或2所述的測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，所述半導體光伏探測器的光敏面為正方形結構。

7.根據權利要求1或2所述的測量小光斑尺寸的方法，其特征在于，所述入射光斑的尺寸小于探測器的光敏面積。