[發(fā)明專利]氣體注射裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610114205.8 | 申請日： | 2006-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN101174542A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 魏小波 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;C23F4/00;C23C16/455;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮(zhèn)勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氣體 注射 裝置 | ||
1.一種氣體注射裝置，用于向反應腔室供氣，包括本體，本體內(nèi)設(shè)有氣體通道，其特征在于，所述的本體的前端設(shè)有表面為弧面的噴頭，并沿噴頭的弧面設(shè)置多個噴氣孔，所述噴氣孔的直徑為0.3～0.7毫米，氣體通過氣體通道并由噴氣孔噴入反應腔室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的噴頭為半球狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的噴氣孔的直徑為0.4～0.6毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的噴氣孔的直徑為0.5毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的噴氣孔包括中心噴氣孔和周邊噴氣孔，所述中心噴氣孔沿氣體注射裝置的中心軸線方向設(shè)置，所述周邊噴氣孔布置在中心噴氣孔的四周，并與中心噴氣孔成0～90°的夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述周邊噴氣孔與中心噴氣孔成8～60°夾角。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述周邊噴氣孔自中心噴氣孔向四周輻射，輻射角為15～30°。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的輻射角為20°。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的噴氣孔與相鄰的噴氣孔之間的夾角為5～15°。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣體注射裝置，其特征在于，所述的噴氣孔與相鄰的噴氣孔之間的夾角為8～10°。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
