[發明專利]一種制作縱向雙柵金屬－氧化物－半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200610114187.3
• 申請日: 2006-11-01
• 公開（公告）號: CN101174566A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 屠曉光;陳少武
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種制作縱向雙柵金屬-氧化物-半導體MOS器件的方法，其特征在于，該方法包括：

A、在絕緣體上硅SOI襯底的頂層硅表面采用離子注入技術形成N-P-N結構，其中N區高摻雜，P區低摻雜；

B、采用電子束曝光和電感耦合等離子體ICP刻蝕方法在形成的N-P-N結構的N區與P區的分界面處形成縱向深槽；

C、采用熱氧化技術在形成縱向深槽的頂層硅表面形成一層氧化硅；

D、采用低壓化學氣相沉積技術結合正硅酸乙酯TEOS源對所述縱向深槽進行氧化硅填充；

E、在填充的氧化硅表面進行光刻，腐蝕氧化硅露出N區和P區；

F、在露出的N區和P區表面蒸發金屬，通過光刻腐蝕形成電極。

2.根據權利要求1所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，所述SOI襯底的頂層硅為p型低摻雜，所述步驟A包括：

對SOI襯底進行清洗，在清洗好的SOI襯底上進行普通光刻，露出需要進行N型離子注入的區域，采用刻蝕技術對頂層硅表面進行淺刻蝕，然后用光刻膠做掩模進行離子注入，形成N-P-N結構。

3.根據權利要求2所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，所述采用刻蝕技術對頂層硅表面進行淺刻蝕時，刻蝕深度以能在顯微鏡下看到注入圖形邊界為標準。

4.根據權利要求3所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，所述采用刻蝕技術對頂層硅表面進行淺刻蝕時，刻蝕深度為30nm。

5.根據權利要求2所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，所述SOI襯底的頂層硅為非p型低摻雜，所述對SOI襯底進行清洗后進一步包括：采用大面積離子注入，對SOI襯底的頂層硅進行p型低摻雜。

6.根據權利要求1所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，所述步驟A和步驟B之間進一步包括：

在形成的N-P-N結構的N區與P區的分界面處采用電子束曝光技術，將柵極圖形轉移到頂層硅表面，控制柵極厚度小于100nm。

7.根據權利要求6所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，所述采用電子束曝光技術，將柵極圖形轉移到頂層硅表面具體包括：

在形成的N-P-N結構的N區與P區的分界面處燒點聚焦，調像散，然后進行電子束曝光和普通光刻套刻標記的對準，然后進行曝光，顯影，將柵極圖形轉移到頂層硅表面。

8.根據權利要求1所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，步驟B中所述縱向深槽的深寬比為1∶1。

9.根據權利要求1所述的制作縱向雙柵MOS器件的方法，其特征在于，步驟C中所述形成的氧化硅的厚度為7至15nm。