[發明專利]晶片處理室的內襯及包含該內襯的晶片處理室

有效

• 申請號: 200610113918.2
• 申請日: 2006-10-20
• 公開（公告）號: CN101165868A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 林盛
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23F4/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙鎮勇

技術領域

本發明涉及一種半導體加工設備部件，尤其涉及一種晶片處理室及其內襯。

背景技術

在半導體制造中，等離子體對晶片的刻蝕通常在處理室內進行。等離子體刻蝕的一個問題是：當許多晶片在處理室內刻蝕時，經過一段時間，在處理室的壁上會生成薄膜。這種薄膜累積物可造成兩個方面問題：第一，薄膜可使壁面剝落并把顆粒滲入到處理室內。由于集成電路裝置的器件尺寸繼續減小，處理過程中這種顆粒存在會增加晶片的廢片率。第二，薄膜可改變射頻接地路徑并因此影響所獲得的晶片。

為了避免上述情況的發生，必須定期對處理室進行濕式清潔操作，以擦凈處理室的壁面以除去薄膜累積物。但是，由于它需要離線處理模式，因而降低了產量。

因此，為了避免離線處理而影響產量。目前，如圖1所示，處理室一般采用內襯的結構來保護處理室的壁面。處理室上方設有石英窗，石英窗上設有的噴嘴采用喇叭形結構，石英窗與處理室壁之間設有調整支架，內襯覆蓋在處理室內部表面防止刻蝕生產物污染等離子處理室；晶片座吸附晶片，起著固定晶片的作用；內襯的應用可以在薄膜累積物出現在壁面上時在最短停工時間內容易地被替換和清洗，從而保證了處理室的連續有效的生產。

如圖2所示，是現有的半導體晶片處理室的內襯的結構示意圖，內襯包括含有多個孔隙的屏蔽板4，屏蔽板4的上部是反應腔室，下部是抽氣腔室。外側壁2從屏蔽板4向上延伸。法蘭1從外側壁2向外延伸，使得法蘭1延伸至處理室壁外并伸入大氣壓力下的空間。還含有從屏蔽板4向上延伸的內側壁3。

盡管該內襯能夠有效保護處理室內壁及晶片座側面，減少薄膜累積物的生成，進而減少顆粒污染，但是，這種內襯結構保護的范圍過窄，只能對屏蔽板4以上的反應腔室進行保護，無法有效的保護石英窗以下的調整支架以及屏蔽板以下的抽氣腔室，無法最大程度的避免顆粒的產生，從而造成晶片上的污染。

發明內容

本發明的目的是提供一種能對處理室進行更大范圍保護的晶片處理室的內襯，及包含該內襯的晶片處理室。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明的晶片處理室的內襯，包括內側壁、外側壁，內側壁與外側壁通過屏蔽板連接，外側壁的上邊緣連接有法蘭，所述的側壁的邊緣連接有延伸部分。

所述的延伸部分包括外側壁的上邊緣向上延伸的部分。

所述外側壁的上邊緣向上延伸的部分位于法蘭的上表面以上。

所述的延伸部分包括外側壁的下邊緣向下延伸的部分。

所述的延伸部分包括內側壁的下邊緣向下延伸的部分。

所述的外側壁和/或內側壁的下邊緣向下延伸的部分位于屏蔽板以下。

所述的延伸部分沿側壁的延伸方向與側壁連接。

所述的延伸部分沿側壁的延伸方向向內或向外側傾斜并與側壁連接。

所述的延伸部分與側壁的延伸方向垂直并與側壁連接。

本發明的晶片處理室，所述晶片處理室內設有上述晶片處理室的內襯。

由上述本發明提供的技術方案可以看出，本發明所述的晶片處理室的內襯及包含該內襯的晶片處理室，由于側壁的邊緣連接有延伸部分，可以擴大對處理室的保護，減少停機清洗時間，提高生產率。

由于延伸部分包括外側壁的上邊緣向上延伸的部分，可以實現對調整支架的保護；還包括外側壁的下邊緣向下延伸的部分，可以擴大對處理室壁的保護；還包括內側壁的下邊緣向下延伸的部分，可以擴大對晶片座側面的保護。

主要適用于對半導體晶片處理室的保護，也適用于對其它類似腔室的保護。

附圖說明

圖1為現有技術中晶片處理室的結構示意圖；

圖2為現有技術晶片處理室的內襯；

圖3為本發明晶片處理室的內襯。

具體實施方式

本發明晶片處理室的內襯較佳的具體實施方式如圖3所示，包括內側壁3、外側壁2，內側壁3與外側壁2通過屏蔽板4連接，外側壁2的上邊緣連接有法蘭1，所述的側壁的邊緣連接有延伸部分。

延伸部分包括外側壁2的上邊緣向上延伸的部分5，位于法蘭1的上表面以上，用于保護石英窗下部的調整支架。該部分最好向上延伸至石英窗，對調整支架的保護較為充分。

延伸部分還包括外側壁2的下邊緣向下延伸的部分6，位于屏蔽板4以下，用于保護抽氣腔室的處理室壁。

延伸部分還包括內側壁3的下邊緣向下延伸的部分7，位于屏蔽板4以下，用于保護抽氣腔室的晶片座側面。

以上三個延伸部分5、6、7，可以沿側壁的延伸方向延伸并與側壁連接，也可以沿側壁的延伸方向向內或向外傾斜并與側壁連接，也可以與側壁的延伸方向垂直并與側壁連接。