[發明專利]一種用于屏蔽強磁場的多層復合結構的磁屏蔽裝置

無效

• 申請號: 200610113824.5
• 申請日: 2006-10-18
• 公開（公告）號: CN101166411A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 馬雁云;王平;章志明;秦秀波;于潤生;王寶義;魏龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;G12B17/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種用于屏蔽強磁場的多層復合結構的磁屏蔽裝置，其特征在于，采用多層復合結構，從外到內包括三層：

一硅鋼部件(1)，為中間層；

一合金部件(2)，為內層；

一螺線管線圈(3)，為外層；

將合金部件(2)置于硅鋼部件(1)內部，在合金部件(2)的外部置有螺線管線圈(3)。

2.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：螺線管線圈(3)、硅鋼部件(1)、合金部件(2)采用圓筒結構。

3.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：螺線管線圈(3)、硅鋼部件(1)的兩端開口，合金部件(2)一端封閉。

4.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：螺線管線圈(3)與硅鋼部件(1)之間有間隙。

5.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：硅鋼部件(1)緊貼在合金部件(2)外部。

6.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：所述螺線管線圈(3)上的導線多層密繞排列，層與層之間，導線之間有絕緣層。

7.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：所述合金部件(2)內直徑大于被屏蔽光電倍增管外直徑。

8.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于：所述合金部件(2)的長度與硅鋼部件(1)相同且長于硅鋼部件(1)直徑的四倍。

9.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于還包括：合金部件(2)本體側壁與前端蓋(4)連接。

10.如權利1要求所述的磁屏蔽裝置，其特征在于還包括：：

后端蓋(5)為一個活動端蓋，為兩層復合結構，內層為坡莫合金、外層為純鐵；

被屏蔽光電倍增管從后端蓋(5)處置于合金部件(2)內部；

后端蓋(5)與合金部件(2)主體尺寸配合連接；

后端蓋(5)開有三個接頭孔(6)，用于引出被屏蔽光電倍增管信號和接入被屏蔽光電倍增管的工作高壓。