[發明專利]階層多孔γ－氧化鋁及其制備方法和用途

無效

• 申請號: 200610113015.4
• 申請日: 2006-09-07
• 公開（公告）號: CN101139104A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 賀軍輝;曹陽;李成章
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C01F7/02
• 分類號: C01F7/02;C01F7/30;B82B1/00;B82B3/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 李柏

1.一種在高溫下孔結構不易坍塌的階層多孔γ-氧化鋁，其特征是：該階層多孔γ-氧化鋁具有與天然植物葛根莖的孔道結構相似的孔道結構，其既有孔徑分布在6～7nm的介孔，又有孔徑分布在幾百納米到幾十微米的大孔；該階層多孔γ-氧化鋁在經過600～1000攝氏度的煅燒后，其比表面積仍高達170～180m²/g，孔容量達0.3～0.4cm³/g。

2.根據權利要求1所述的階層多孔γ-氧化鋁，其特征是：所述的高溫是400～1000攝氏度。

3.一種根據權利要求1或2所述的階層多孔γ-氧化鋁的制備方法，其特征是，該方法包括以下步驟：

(1).取野生植物葛根的莖為模板，剝皮后橫切成片狀，將其浸泡到硝酸水溶液中，然后取出并用蒸餾水反復沖洗，直到pH值接近7，在室溫下真空干燥；

(2).將步驟(1)得到的葛根莖的切片浸泡在氯化鋁溶液中，然后取出并放置在空氣中；

(3).將步驟(2)得到的載有氯化鋁溶液的葛根莖切片在氨氣中熏浸，然后干燥；

(4).將步驟(3)得到的葛根莖的切片在600～1000攝氏度的高溫下煅燒3～6小時，得到白色的階層多孔γ-氧化鋁片。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征是：所述的將野生植物葛根的莖浸泡在硝酸水溶液中20～30小時。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其特征是：所述的硝酸水溶液濃度為1～4摩爾/升。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征是：所述的將步驟(1)得到的葛根莖的切片浸泡在氯化鋁溶液中60～100分鐘。

7.根據權利要求3或4所述的方法，其特征是：所述的氯化鋁溶液濃度為0.5～2摩爾/升。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征是：所述的將步驟(2)得到的載有氯化鋁溶液的葛根莖切片在過量的氨氣中熏浸2～5小時。

9.根據權利要求3所述的方法，其特征是：所述的步驟(3)的干燥溫度是30～70攝氏度。

10.一種根據權利要求1或2所述的階層多孔γ-氧化鋁的用途，其特征是：該階層多孔γ-氧化鋁能夠作為載體在催化、吸附、分離、納米反應器、模板和光控器件方面進行應用。