[發明專利]微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法無效
| 申請號： | 200610112935.4 | 申請日： | 2006-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN101145672A | 公開（公告）日： | 2008-03-19 |
| 發明（設計）人： | 高建霞;宋國峰;甘巧強;陳良惠 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微小 垂直 發射 激光器 制備 方法 | ||
1.一種微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：取一普通垂直腔面發射激光器，該激光器包括，N面電極、出光腔面、出光孔、P面電極；
步驟2：在普通垂直腔面發射激光器的出光腔面上制備增透膜；
步驟3：利用聚焦離子束刻蝕技術刻蝕掉P面電極上的增透膜；
步驟4：在出光腔面上的增透膜上和P面電極上制備金屬膜；
步驟5：在出光孔上刻蝕出亞波長尺寸的微小孔，完成微小孔垂直腔面發射激光器的制作。
2.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述增透膜材料為SiO2和SiNx的混合物，或者是Al2O3、MgF材料，厚度為200nm-400nm。
3.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述的增透膜為絕緣層，可以避免在下一步中金屬和出光腔面直接接觸，從而保護出光腔面。
4.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述的P面電極和N面電極為電流注入通道。
5.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述的金屬膜材料為Ti/Au、Ti/Ag、Ti/Al或者Ti/Ni，其中Ti的厚度為5nm-30nm，Au、Ag、Al或者Ni層的厚度為60nm-400nm。
6.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述金屬膜中的Ti可以提高器件表面的粘附性。
7.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述金屬膜為高反射膜，可以阻擋住普通垂直腔面發射激光器正常的輸出光。
8.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述在出光孔上刻蝕的微小孔尺寸為亞波長量級，深度和金屬膜的厚度相同。
9.根據權利要求1所述的微小孔垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，其中所述聚焦離子束刻蝕時，采用最小的離子束流密度和最大的重合距離。
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