[發明專利]具有室溫鐵磁性的氧化物基稀磁半導體薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 200610112791.2 | 申請日： | 2006-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN1924095A | 公開（公告）日： | 2007-03-07 |
| 發明（設計）人： | 林元華;南策文;趙榮娟 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | C23C30/00 | 分類號： | C23C30/00;C23C18/02 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 室溫 鐵磁性 氧化物 基稀磁 半導體 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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