[發(fā)明專利]一種提高芯片啟動速度的裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610111796.3 | 申請日: | 2006-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN101135974A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳濤 | 申請(專利權)人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F9/445 | 分類號: | G06F9/445 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人: | 龍洪;霍育棟 |
| 地址: | 518057廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 芯片 啟動 速度 裝置 方法 | ||
1.一種提高芯片啟動速度的裝置,其特征在于,包括非易失性存儲模塊、處理器模塊、自適應芯片,其中:
非易失性存儲模塊,用于存儲初始配置參數(shù)、優(yōu)化配置參數(shù)、及表示是否存儲有優(yōu)化配置參數(shù)的標志碼、優(yōu)化配置參數(shù)對應的校驗碼;
處理器模塊,用于從非易失性存儲模塊中讀取標志碼,在判斷存儲有優(yōu)化配置參數(shù)時,讀取優(yōu)化配置參數(shù)并計算其對應的校驗碼,將該計算的校驗碼與存儲的校驗碼比較一致時,讀取優(yōu)化配置參數(shù)對自適應芯片進行配置,在判斷沒有優(yōu)化配置參數(shù)或校驗碼不一致時,讀取初始配置參數(shù)對自適應芯片進行配置,在芯片自適應啟動完畢或正常工作時,存儲其配置參數(shù)到非易失性存儲模塊作為優(yōu)化配置參數(shù),在計算出校驗碼并設置標志碼狀態(tài)為存儲有優(yōu)化配置參數(shù)后,將校驗碼和標志碼一并存儲;
自適應芯片,用于根據(jù)處理器模塊配置過來的配置參數(shù)進行自適應啟動,啟動完畢后,執(zhí)行芯片正常工作。
2.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述處理器模塊是中央處理器CPU、或微程序控制器MCU、或數(shù)字信號處理器DSP。
3.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述非易失性存儲模塊是閃存FLASH、或電可擦可編程序存儲器EEPROM、或是磁性內存MRAM、或鐵電內存FeRAM。
4.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述校驗碼是循環(huán)冗余碼CRC、或奇偶校驗碼。
5.一種基于權利要求1所述裝置的提高芯片啟動速度的方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)在非易失性存儲模塊中,配置初始配置參數(shù)、優(yōu)化配置參數(shù)、及表示是否存儲有優(yōu)化配置參數(shù)的標志碼;
(2)自適應芯片上電啟動時,處理器模塊讀取非易失性存儲模塊中的標志碼,判斷存儲有優(yōu)化配置參數(shù)后,處理器模塊讀取優(yōu)化配置參數(shù)對所述自適應芯片進行配置;
(3)所述自適應芯片依據(jù)處理器模塊發(fā)送來的配置參數(shù)進行自適應啟動,直到正常工作;
(4)處理器模塊從自適應芯片中讀取正常工作時的配置參數(shù),將其作為優(yōu)化配置參數(shù)存儲在非易失性存儲模塊,并修改標志碼為指示存儲有優(yōu)化配置參數(shù)的狀態(tài)。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述步驟(2)進一步包括:
如果處理器模塊讀取非易失性存儲模塊中的標志碼,判斷沒有優(yōu)化配置參數(shù)后,所述處理器模塊讀取初始配置參數(shù)對自適應芯片進行配置。
7.如權利要求5所述的方法,其特征在于,步驟(1)中所述非易失性存儲模塊進一步存儲有用于校驗優(yōu)化配置參數(shù)的校驗碼,該校驗碼是循環(huán)冗余碼CRC、或奇偶校驗碼。
8.如權利要求5或7所述的方法,其特征在于,步驟(2)進一步包括利用校驗碼對優(yōu)化配置參數(shù)進行校驗的步驟:
在判斷存儲有優(yōu)化配置參數(shù)后,處理器模塊從非易失性存儲模塊中讀取優(yōu)化配置參數(shù),并對其計算校驗碼;
處理器模塊判斷計算所得的校驗碼與非易失性存儲模塊中存儲的校驗碼是否一致,如果一致,則讀取優(yōu)化配置參數(shù)對所述自適應芯片進行配置,否則,讀取初始配置參數(shù)對所述自適應芯片進行配置。
9.如權利要求5或7所述的方法,其特征在于,步驟(4)中所述處理器模塊是在啟動完成時一次性地、或在芯片正常工作期間定期地存儲優(yōu)化配置參數(shù)、標志碼至所述非易失性存儲模塊,并進一步計算優(yōu)化配置參數(shù)對應的校驗碼,將所得校驗碼一并存儲。
10.如權利要求5所述的方法,其特征在于,步驟(1)中所述非易失性存儲模塊是閃存FLASH、或電可擦可編程序存儲器EEPROM、或是磁性內存MRAM、或鐵電內存FeRAM。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中興通訊股份有限公司,未經(jīng)中興通訊股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610111796.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種坐便器及其風路系統(tǒng)
- 下一篇:軟件更新方法及系統(tǒng)





