[發明專利]一種提高芯片啟動速度的裝置及方法

有效

• 申請號: 200610111796.3
• 申請日: 2006-08-28
• 公開（公告）號: CN101135974A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 陳濤
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: G06F9/445
• 分類號: G06F9/445
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍洪;霍育棟

1.一種提高芯片啟動速度的裝置，其特征在于，包括非易失性存儲模塊、處理器模塊、自適應芯片，其中：

非易失性存儲模塊，用于存儲初始配置參數、優化配置參數、及表示是否存儲有優化配置參數的標志碼、優化配置參數對應的校驗碼；

處理器模塊，用于從非易失性存儲模塊中讀取標志碼，在判斷存儲有優化配置參數時，讀取優化配置參數并計算其對應的校驗碼，將該計算的校驗碼與存儲的校驗碼比較一致時，讀取優化配置參數對自適應芯片進行配置，在判斷沒有優化配置參數或校驗碼不一致時，讀取初始配置參數對自適應芯片進行配置，在芯片自適應啟動完畢或正常工作時，存儲其配置參數到非易失性存儲模塊作為優化配置參數，在計算出校驗碼并設置標志碼狀態為存儲有優化配置參數后，將校驗碼和標志碼一并存儲；

自適應芯片，用于根據處理器模塊配置過來的配置參數進行自適應啟動，啟動完畢后，執行芯片正常工作。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述處理器模塊是中央處理器CPU、或微程序控制器MCU、或數字信號處理器DSP。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述非易失性存儲模塊是閃存FLASH、或電可擦可編程序存儲器EEPROM、或是磁性內存MRAM、或鐵電內存FeRAM。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述校驗碼是循環冗余碼CRC、或奇偶校驗碼。

5.一種基于權利要求1所述裝置的提高芯片啟動速度的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在非易失性存儲模塊中，配置初始配置參數、優化配置參數、及表示是否存儲有優化配置參數的標志碼；

(2)自適應芯片上電啟動時，處理器模塊讀取非易失性存儲模塊中的標志碼，判斷存儲有優化配置參數后，處理器模塊讀取優化配置參數對所述自適應芯片進行配置；

(3)所述自適應芯片依據處理器模塊發送來的配置參數進行自適應啟動，直到正常工作；

(4)處理器模塊從自適應芯片中讀取正常工作時的配置參數，將其作為優化配置參數存儲在非易失性存儲模塊，并修改標志碼為指示存儲有優化配置參數的狀態。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)進一步包括：

如果處理器模塊讀取非易失性存儲模塊中的標志碼，判斷沒有優化配置參數后，所述處理器模塊讀取初始配置參數對自適應芯片進行配置。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述非易失性存儲模塊進一步存儲有用于校驗優化配置參數的校驗碼，該校驗碼是循環冗余碼CRC、或奇偶校驗碼。

8.如權利要求5或7所述的方法，其特征在于，步驟(2)進一步包括利用校驗碼對優化配置參數進行校驗的步驟：

在判斷存儲有優化配置參數后，處理器模塊從非易失性存儲模塊中讀取優化配置參數，并對其計算校驗碼；

處理器模塊判斷計算所得的校驗碼與非易失性存儲模塊中存儲的校驗碼是否一致，如果一致，則讀取優化配置參數對所述自適應芯片進行配置，否則，讀取初始配置參數對所述自適應芯片進行配置。

9.如權利要求5或7所述的方法，其特征在于，步驟(4)中所述處理器模塊是在啟動完成時一次性地、或在芯片正常工作期間定期地存儲優化配置參數、標志碼至所述非易失性存儲模塊，并進一步計算優化配置參數對應的校驗碼，將所得校驗碼一并存儲。

10.如權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述非易失性存儲模塊是閃存FLASH、或電可擦可編程序存儲器EEPROM、或是磁性內存MRAM、或鐵電內存FeRAM。