[發(fā)明專利]薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610111544.0
• 申請日: 2006-08-23
• 公開（公告）號: CN101131981A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴奎佑;梁錦坤
• 申請（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/28
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜式集成電路封裝構(gòu)造，尤其是有關(guān)一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造(Chip-On-Film?package，COF?package)，特別是涉及一種可以解決現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造因晶片下接地條(ground?bar?under?chip)影響點(diǎn)涂膠體流布速度不均勻而導(dǎo)致氣泡的問題，另外還可防止跳接線外露的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜。

背景技術(shù)

在以往薄膜式集成電路封裝構(gòu)造中是以電路薄膜承載晶片，如原申請人在中國臺灣專利公告第505315號揭示了一種“薄膜覆晶封裝構(gòu)造”。薄膜覆晶封裝構(gòu)造(Chip-On-Film?package，COF?package)相對于卷帶承載封裝構(gòu)造(Tape?Carrier?Package，TCP)具有更薄與引腳微間距的優(yōu)點(diǎn)，以符合先進(jìn)集成電路封裝的所需。然而，薄膜覆晶封裝構(gòu)造在晶片與電路薄膜之間的干擾物常會影響點(diǎn)涂膠體的填充流速，而導(dǎo)致氣泡產(chǎn)生。

請參閱圖1及圖2所示，圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示意圖，圖2是底面透視示意圖。現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造100，包含一電路薄膜110、一晶片120以及一點(diǎn)涂膠體130。該電路薄膜110，具有一軟質(zhì)介電層111、復(fù)數(shù)個(gè)引腳112以及一防焊層113。該晶片120，具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊121，其接合至該些引腳112的內(nèi)接指。該點(diǎn)涂膠體130，是以毛細(xì)作用流動并填充在該晶片120與該電路薄膜110之間，并加熱以熟化成形。如圖2所示，通常該電路薄膜110對應(yīng)在該晶片120的下方是設(shè)有至少一接地條114(ground?bar)，其與該些引腳112為同層金屬結(jié)構(gòu)，并連接兩條以上需要接地傳導(dǎo)的引腳112。由于接地條114是橫阻于該點(diǎn)涂膠體130的流動方向(由該晶片120的一較長邊至另一較長邊的方向)，變成一流速干擾物，而導(dǎo)致該點(diǎn)涂膠體130的流動速度不均勻，即特別是在接地條114部分的流速為較慢。因此，在熟化該點(diǎn)涂膠體130后，其內(nèi)部會有微小氣泡或縫隙產(chǎn)生，屬于涂膠不實(shí)的缺陷。

由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但是長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及其專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜存在的缺陷，而提供一種新的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜，所要解決的技術(shù)問題是使其可以解決現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造因晶片下接地條(ground?bar?under?chip)影響點(diǎn)涂膠體流布速度不均勻而導(dǎo)致氣泡的問題，從而更加適于實(shí)用。

本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其使用的電路薄膜，所要解決的技術(shù)問題是使其可以防止跳接線的外露，從而更加適于實(shí)用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其包含：一電路薄膜，其具有一第一介電層、一第二介電層、復(fù)數(shù)個(gè)在第一介電層與第二介電層之間的引腳及至少一跳接線，其中該跳接線是形成該第二介電層上并電性導(dǎo)接該些引腳的其中至少二個(gè)；一晶片，其具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，該些凸塊是接合至該些引腳；以及一點(diǎn)涂膠體，其形成于該電路薄膜與該晶片之間。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的第二介電層具有復(fù)數(shù)個(gè)激光鉆孔，以供該跳接線導(dǎo)接該些引腳。

前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其另包含有一絕緣物質(zhì)，形成于該電路薄膜上，以密封該跳接線。

前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的該些引腳的至少一未與該跳接線導(dǎo)接的引腳是穿過該跳接線的下方。