[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200610110828.8
• 申請日: 2006-08-15
• 公開（公告）號: CN101127378A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 蔡炯棋;蔡宗良;李玉柱
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體發光元件，該半導體發光元件包括：

基板；

第一導電類型半導體材料層，該第一導電類型半導體材料層形成在該基板上；

發光層，該發光層形成在該第一導電類型半導體材料層上致使該第一導電類型半導體材料層的部分區域外露；

第一電極，該第一電極形成在該第一導電類型半導體材料層的該外露的部分區域上；

第二導電類型半導體材料層，該第二導電類型半導體材料層形成在該發光層上；

II-V族化合物接觸層，該II-V族化合物接觸層形成在該第二導電類型半導體材料層上；

透明導電層，該透明導電層形成在該II-V族化合物接觸層上致使該II-V族化合物接觸層的部分區域外露；和

第二電極，該第二電極形成在該II-V族化合物接觸層的該外露的部分區域上并且接觸該透明導電層。

2.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該基板由選自由硅、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化硅、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰鎵、二氧化鋰鋁以及四氧化鎂二鋁所組成的群組中的一種材料所形成。

3.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型半導體材料層和該第二導電類型半導體材料層分別由氮化鎵材料所形成。

4.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型是N型，并且該第二導電類型是P型。

5.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該發光層由選自由氮化銦鎵、氮化鋁鎵以及砷化銦鎵所組成的群組中的一種材料所形成。

6.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中在該II-V族化合物接觸層內的II族化學元素選自由鋅、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳所組成的群組中的一種元素，并且該II-V族化合物接觸層內的V族化學元素選自由氮、磷、砷、銻以及鉍所組成的群組中的一種元素。

7.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該II-V族化合物接觸層的材料表示成化學式為：M_xN_y，其中1≤x≤3，1≤y≤3，并且x和y為摩爾數。

8.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該II-V族化合物接觸層的厚度范圍是從0.5埃至500埃。

9.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該II-V族化合物接觸層在從400℃至1100℃的溫度范圍內形成。

10.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該透明導電層由選自由鎳/金、銦錫氧化物、CTO、TiWn、三氧化二銦、二氧化錫、氧化鎘、氧化鋅、二氧化銅鈣以及二氧化鍶二銅所組成的群組中的一種材料所形成。

11.一種制造半導體發光元件的方法，該方法包括下列步驟：

準備基板；

形成第一導電類型半導體材料層在該基板上；

形成發光層在該第一導電類型半導體材料層上致使該第一導電類型半導體材料層的部分區域外露；

形成第一電極在該第一導電類型半導體材料層的該外露的部分區域上；

形成第二導電類型半導體材料層在該發光層上；

形成II-V族化合物接觸層在該第二導電類型半導體材料層上；

形成透明導電層在該II-V族化合物接觸層上致使該II-V族化合物接觸層的部分區域外露；并且

形成第二電極在該II-V族化合物接觸層的該外露的部分區域上并且接觸該透明導電層。

12.如權利要求11所述的方法，其中該基板由選自由硅、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化硅、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰鎵、二氧化鋰鋁以及四氧化鎂二鋁所組成的群組中的一種材料所形成。

13.如權利要求11所述的方法，其中該第一導電類型半導體材料層和該第二導電類型半導體材料層分別由氮化鎵材料所形成。

14.如權利要求11所述的方法，其中該第一導電類型是N型，并且該第二導電類型是P型。

15.如權利要求11所述的方法，其中該發光層由選自由氮化銦鎵、氮化鋁鎵以及砷化銦鎵所組成的群組中的一種材料所形成。