[發明專利]助焊劑殘留的去除方法

無效

• 申請號: 200610109631.2
• 申請日: 2006-08-11
• 公開（公告）號: CN101123172A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 王俊棋;黃耀鋒;陳知行;王啟宇;蔡孟錦
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/302
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司
• 代理人: 李光松

1.一種去除助焊劑殘留的方法，適用于晶片工藝中，且該晶片表面會因清洗劑清洗而殘留一助焊劑，以一電漿去除法清洗該晶片表面，以降低該助焊劑殘留于該晶片表面。

2.如權利要求1的去除助焊劑殘留方法，更包括該電漿去除法后需再進行去離子水(deionize?water)高壓沖洗該晶片表面。

3.如權利要求1的去除助焊劑殘留方法，其中該晶片表面粗糙度大于0.4μm。

4.一種去除助焊劑殘留的方法，適用于晶片工藝中，該方法包括下列步驟：

提供一晶片；

形成多個凸塊于該晶片上；

涂布一助焊劑于該些凸塊表面上；

回流該些凸塊；

浸泡該晶片于一清洗劑中；

以一電漿清洗該晶片；

沖洗該晶片；及

干燥該晶片。

5.如權利要求4的去除助焊劑殘留方法，其中形成該多個凸塊于該晶片步驟前，更包括形成一凸塊下金屬層以完成圖案化，其中該晶片表面粗糙度大于0.4μm；接著，在芯片表面上形成具有光致抗蝕劑圖案；再印刷一焊料于該凸塊下金屬層上；然后，去除光致抗蝕劑圖案形成凸塊。6.如權利要求4的去除助焊劑殘留方法，其中在涂布該助焊劑于該些凸塊表面上的步驟后，更包括一預回流步驟。

6.如權利要求4的去除助焊劑殘留方法，其中該清洗劑浸泡選自甲氧基乙醇、環銨類及氫氧化鉀所組成的族中混合的成分。

7.如權利要求4的去除助焊劑殘留方法，其中該晶片表面粗糙度大于0.435μm。

8.如權利要求4的去除助焊劑殘留方法，更包括在沖洗該晶片步驟中以去離子水(deionize?water)高壓沖洗該晶片表面，且該離子水的溫度在25℃以下。

9.如權利要求4的去除助焊劑殘留方法，其中該電漿清洗該晶片步驟利用電漿產生自由基與化合物反應而加以去除助焊劑。