[發明專利]一種金屬納米晶薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 200610109562.5 | 申請日： | 2006-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN101122006A | 公開（公告）日： | 2008-02-13 |
| 發明（設計）人： | 龍世兵;李志剛;劉明;陳寶欽 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | C23C14/18 | 分類號： | C23C14/18;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100029*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 納米 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包括：
A、在絕緣襯底上淀積一層金屬薄膜；
B、在惰性氣體中高溫快速退火，形成分離的金屬納米晶薄膜。
2.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述絕緣襯底為平整、潔凈的SiO2、Si3N4或Al2O3絕緣襯底。
3.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述淀積的方法為濺射或蒸發。
4.根據權利要求3所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述濺射包括磁控濺射、射頻濺射、直流濺射、共濺射或反應濺射，所述蒸發包括熱蒸發或電子束蒸發。
5.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述金屬薄膜的厚度為2至3nm。
6.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述金屬薄膜為單質金屬薄膜、金屬硅化物薄膜或金屬合金薄膜。
7.根據權利要求6所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述單質金屬為Ni、Fe、Co、Mn、Cr、W、Ge、Al、Cu、Au、Ag或Pt，所述金屬硅化物為WSi2或TaSi2，所述金屬合金為NiFe或WTi。
8.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟B中所述惰性氣體為N2、Ar、He。
9.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟B中所述高溫快速退火的溫度為700℃至1600℃。
10.根據權利要求1所述的金屬納米晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟B中所述快速退火的時間為5至90秒。
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