[發(fā)明專利]具有內(nèi)置熱沉的半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610109096.0
• 申請日: 2006-08-03
• 公開（公告）號: CN101118895A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高偉
• 申請（專利權(quán)）人: 飛思卡爾半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/34
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 王以平

1.一種用于半導(dǎo)體器件的單厚度引線框架，該引線框架包括：

位于中央的芯片焊盤，具有第一厚度；

多個包圍上述芯片焊盤的引線接頭，所述引線接頭具有和所述第一厚度相等的厚度；

散熱器，具有第二厚度；

其中，所述散熱器的第一表面粘接在所述芯片焊盤的第一表面上；

所述半導(dǎo)體集成電路粘接在所述散熱器的第二表面上。

2.權(quán)利要求1中的單厚度引線框架，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。

3.權(quán)利要求1中的單厚度引線框架，其中，所述第二厚度大約為8密耳。

4.權(quán)利要求1中的單厚度引線框架，其中，所述散熱器用焊料粘接在所述芯片焊盤上。

5.權(quán)利要求1中的單厚度引線框架，其中，所述芯片焊盤、所述引線接頭、所述散熱器由銅構(gòu)成。

6.權(quán)利要求1中的單厚度引線框架，其中，所述散熱器鍍覆了NiPd。

7.權(quán)利要求1中的單厚度引線框架，其中，所述散熱器和所述芯片焊盤具有基本相同的尺寸。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

芯片焊盤，具有第一厚度；

多個包圍所述芯片焊盤的引線接頭，其中，所述引線接頭具有與所述第一厚度相等的厚度；

散熱器，具有第二厚度，粘接在所述芯片焊盤的第一表面上；

集成電路，粘接在所述散熱器的第二表面上；

多個引線，將所述多個引線接頭的每個分別與所述集成電路上相應(yīng)的鍵合焊盤電連接；和

包圍所述集成電路、所述多個引線，以及包圍所述引線接頭的上表面的模塑成型化合物，其中，所述芯片焊盤的第二表面被暴露在外。

9.權(quán)利要求8中的半導(dǎo)體器件，其中，所述引線接頭的下表面被暴露在外。

10.權(quán)利要求8中的半導(dǎo)體器件，其中，所述芯片焊盤、所述引線接頭和所述熱沉由銅構(gòu)成。

11.權(quán)利要求10中的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二厚度與所述第一厚度相等。

12.權(quán)利要求11中的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器鍍覆了NiPd。

13.權(quán)利要求8中的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器用焊料粘接在所述芯片焊盤上，所述集成電路通過焊料粘接在所述散熱器上。

14.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一芯片焊盤，具有第一厚度；

第二芯片焊盤，具有所述第一厚度；

多個包圍所述第一和第二芯片焊盤的引線接頭，其中，所述引線接頭具有與所述第一厚度相等的厚度；

散熱器，具有第二厚度，被粘接在所述第一芯片焊盤的第一表面上；

第一集成電路，粘接在所述散熱器的第二表面上；

第二集成電路，粘接在所述第二芯片焊盤的第一表面上；

多根引線，將所述多個引線接頭的每個分別與相應(yīng)的所述第一和第二集成電路的鍵合焊盤電連接；

包圍所述第一和第二集成電路、所述多根引線，以及所述引線接頭上表面的模塑成型化合物，其中，所述第一和第二芯片焊盤的第二表面被暴露出來。

15.權(quán)利要求14中的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一集成電路包括功率晶體管。

16.權(quán)利要求15中的半導(dǎo)體器件，其中，所述引線接頭的下表面被暴露出來。

17.權(quán)利要求15中的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一和第二芯片焊盤，所述引線接頭和所述熱沉由銅構(gòu)成。

18.權(quán)利要求17中的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二厚度與所述第一厚度相等。

19.權(quán)利要求17中的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器鍍覆了NiPd。

20.權(quán)利要求17中的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一集成電路通過焊料粘接在所述散熱器上；所述散熱器用焊料粘接在所述第一芯片焊盤上。