[發明專利]位移緩存器及位移緩存單元

無效

• 申請號: 200610108944.6
• 申請日: 2006-07-28
• 公開（公告）號: CN101114430A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 羅新臺;許景富;廖文堆
• 申請（專利權）人: 勝華科技股份有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G09G3/20;G11C19/18;G11C19/28
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 田野

技術領域

本發明是關于一種柵極驅動器，特別是關于一種非晶硅薄膜晶體管的柵極驅動器。

背景技術

一般使用非晶硅薄膜晶體管(amorphous?silicon?thin-film?transistor，a-Si?TFT)作為有源式顯示器的基板技術，具有低制作成本、與高生產良率的競爭優勢，雖然在某些部分該非晶硅薄膜晶體管的特性劣于低溫多晶硅薄膜晶體管(polycrystalline?silicon?thin-film?transistor，poly-Si?TFT)。因此，為了使非晶硅技術在高分辨率(high?resolution)的應用上能與低溫多晶硅技術競爭，使用非晶硅薄膜晶體管形成柵極驅動電路(amorphous?silicongate，ASG)的概念在近年來被重新提出，有許多電路架構陸續被揭露與驗證。

圖1A是顯示美國專利號US6,690,347所揭露的一種位移緩存器(shiftregister)10。該位移緩存器10設置于一般液晶顯示面板的柵極驅動電路中，并且該柵極驅動電路是由上述非晶硅薄膜晶體管所形成。該位移緩存器10包含193個位移緩存單元11₁～11₁₉₃，且用以驅動192條掃描線。其中，位移緩存單元11₁₉₃為一虛接的緩存單元(dummy?stage)、不與任何掃描線連接。每一位移緩存單元11包含一輸入端IN’、一輸出端OUT’、一回授控制端(feedbackcontrol?terminal)CT’、一時鐘信號輸入端CK’、一第一電壓輸入端VSS’、以及一第二電壓輸入端VDD’。

位移緩存器10利用前一級位移緩存單元11_M-1(M為正整數，1＜M≤193)的輸出信號OUT_M-1作為后一級位移緩存單元11_M的輸入信號IN；同時該后級位移緩存單元11_M的輸出信號OUT_M又做為前一級位移緩存單元11_M-1的回授控制信號CT。每一個位移緩存單元11將可依序驅動其相對應的掃描線(scan?line)。

圖1B是顯示每一位移緩存單元11的電路圖。該位移緩存單元11包含一上推單元(pull-up?unit)111、一上推驅動單元(pull-up?driving?unit)112、一下拉單元(pull-down?unit)113、一下拉驅動單元(pull-down?drivingunit)114、一浮接防止單元(floating?preventing?unit)115、以及一導通防止單元(turn-on?preventing?unit)116。且須注意，以下位移緩存單元11的每一單元所包含的晶體管均為非晶硅薄膜晶體管。