[發(fā)明專利]降低晶體缺陷密度的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610108599.6 | 申請日： | 2003-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN1920124A | 公開（公告）日： | 2007-02-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | M·P·德埃維林;S·D·阿圖爾;L·B·羅蘭德;S·S·瓦加拉利;J·W·盧塞克;T·R·安托尼;L·M·萊文森 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | C30B33/00 | 分類號： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 趙蘇林 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 降低 晶體缺陷 密度 方法 | ||
【說明書】：
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