[發明專利]電容器組的結構以及降低電容器之間的電容變異量的方法有效
| 申請號: | 200610106165.2 | 申請日: | 2006-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN101110417A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發明(設計)人: | 梁其翔;楊健國;曾華洲;柯鈞耀;范政文;蔣裕和;曾志裕 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/00 | 分類號: | H01L27/00;H01L27/01;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 結構 以及 降低 之間 電容 變異 方法 | ||
1.一種電容器組的結構,其中,該結構包括配置于基板上同一位置的至少二電容器,該二電容器包括:
第一電容器,包括彼此并聯的多個第一電容單元;及
第二電容器,包括彼此并聯的多個第二電容單元,
其中該些第一電容單元與該些第二電容單元交錯排列成一陣列。
2.如權利要求1所述的電容器組的結構,其中,該陣列為排列在平面上的二維陣列。
3.如權利要求2所述的電容器組的結構,其中,該平面與該基板的表面平行或垂直。
4.如權利要求1所述的電容器組的結構,其中,該陣列為三維陣列。
5.如權利要求4所述的電容器組的結構,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元僅在由兩個維度方向所構成的平面上交錯排列。
6.如權利要求5所述的電容器組的結構,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元排列的方式包括:在與該基板的表面垂直的方向上重復排列相同的電容單元,且在與該基板的表面平行的水平面上交錯排列該些第一電容單元與該些第二電容單元。
7.如權利要求5所述的電容器組的結構,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元排列的方式包括:在與該基板的表面平行的水平方向上重復排列相同的電容單元,且在與該水平方向垂直的垂直面上交錯排列該些第一電容單元與該些第二電容單元。
8.如權利要求4所述的電容器組的結構,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元在對應該三維陣列的三個坐標平面上皆交錯排列。
9.如權利要求8所述的電容器組的結構,其中,該三維陣列的三個維度方向彼此正交,包括與該基板的表面垂直的一垂直方向及與該基板的表面平行的二水平方向。
10.如權利要求1所述的電容器組的結構,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元的數量與電容值皆相同。
11.如權利要求1所述的電容器組的結構,其中,該第一電容器與該第二電容器為金屬-氧化層-金屬電容器,或是金屬-絕緣層-金屬電容器。
12.如權利要求1所述的電容器組的結構,其中,
每一第一電容單元包括第一電極、第二電極及配置于該第一電極與該第二電極間的介電材料;
每一第二電容單元包括第三電極、第四電極及配置于該第三電極與該第四電極間的該介電材料;
該些第一電容單元的該些第一電極彼此電連接,且該些第二電極彼此電連接;以及
該些第二電容單元的該些第三電極彼此電連接,且該些第四電極彼此電連接。
13.如權利要求12所述的電容器組的結構,其中,該第一電容器與該第二電容器為金屬-氧化層-金屬電容器,且各該第一、第二、第三、第四電極皆呈梳狀。
14.一種降低電容器之間的電容變異量的方法,包括:
將包括第一電容器與第二電容器在內的至少二電容器形成在基板上的同一位置,其方法包括:
形成彼此并聯的多個第一電容單元與彼此并聯的多個第二電容單元,以分別構成該第一電容器與該第二電容器,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元的數量與電容值皆相同,且交錯排列成一陣列。
15.如權利要求14所述的降低電容器之間的電容變異量的方法,其中,該陣列為排列在平面上的二維陣列。
16.如權利要求15所述的降低電容器之間的電容變異量的方法,其中,該平面與該基板的表面平行或垂直。
17.如權利要求14所述的降低電容器之間的電容變異量的方法,其中,該陣列為三維陣列。
18.如權利要求17所述的降低電容器之間的電容變異量的方法,其中,些第一電容單元與該些第二電容單元僅在由兩個維度方向所構成的平面上交錯排列。
19.如權利要求18所述的降低電容器之間的電容變異量的方法,其中,該些第一電容單元與該些第二電容單元排列的方式包括:在與該基板的表面垂直的方向上重復排列相同的電容單元,且在與該基板的表面平行的水平面上交錯排列該些第一電容單元與該些第二電容單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





