[發明專利]低溫離子鍍制備金屬基潤滑薄膜的方法無效
| 申請號： | 200610104586.1 | 申請日： | 2006-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN101144151A | 公開（公告）日： | 2008-03-19 |
| 發明（設計）人： | 胡明;孫嘉奕;翁立軍;劉維民;高曉明;李隴旭;汪曉萍;羅正義;楊軍;伏彥龍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/46 | 分類號： | C23C14/46;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 蘭州中科華西專利代理有限公司 | 代理人： | 方曉佳 |
| 地址： | 730000甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 離子鍍 制備 金屬 潤滑 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低溫離子鍍制備金屬基潤滑薄膜的方法，其特征在于該方法依次包括如下步驟：
A、制備與安裝金屬靶材
使用金屬材料，加工成Φ60mm～80mm，高40mm～50mm的圓柱形狀靶，將靶材安裝在離子鍍膜設備的鍍膜室側壁上的預留靶口內；
B、安裝待鍍膜基體
將待鍍膜基體清洗干凈并烘干后裝入鍍膜室內的試樣夾具上，使待鍍膜基體與靶材之間的距離保持在80mm～200mm，并且使基體表面法線與靶材表面法線間的夾角在-30°～+30°之間，同時在待鍍膜基體與試樣夾具工裝的貼合面安裝測溫元件，以檢測基體沉積溫度；
C、離子轟擊處理
將鍍膜室抽真空至6.0×10-3Pa～6.0×10-4Pa，充入高純氬氣1.0Pa～5.0Pa，離子轟擊電壓-50V～-3000V；
D、低溫獲得過程
通過進液管路向試樣夾具內通入液氮，從而使待鍍膜基體溫度降低到-20℃～-178℃，待鍍膜基體溫度由測溫元件直接監測；
E、鍍膜
鍍膜Ar氣壓10-2Pa～100Pa，金屬靶材電壓10V～40V，電流40A-100A，工作偏壓0V～-3000V，沉積時間10s～30mim；鍍膜結束后自然升溫至室溫。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于金屬材料選自Ag、Ni、Cu、Cr或AgCu合金。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于待鍍膜基體選自鋼、銅或硅片。
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