[發(fā)明專利]晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610104061.8 | 申請日: | 2006-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN101118861A | 公開(公告)日: | 2008-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林俊宏;周世文;潘玉堂 | 申請(專利權(quán))人: | 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于其包括:
提供一線路基板,該線路基板具有一第一表面、一第二表面與一貫孔,該貫孔連接該第一表面與該第二表面;
提供一晶片,該晶片具有一主動面與多個焊墊,該多個焊墊配置于該主動面上;
將該晶片固著于該線路基板上,其中該線路基板的該第二表面與該晶片的該主動面彼此相對且該貫孔暴露出該多個焊墊;
形成通過該貫孔的多條焊線,其中該多個焊墊分別借由該多條焊線而電性連接至該線路基板的該第一表面;
形成一膜層于該線路基板的該第一表面上,其中該膜層具有一開孔,且該開孔暴露出該多條焊線、該多個焊墊、該貫孔與部分該第一表面;
在該開孔與該貫孔內(nèi)形成一膠體,以包覆部分該主動面、該多條焊線與部分該第一表面;以及
移除該膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于其中所述膜層的材質(zhì)包括聚亞酰胺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于其中所述移除該膜層的方式包括撕除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于其中所述在形成該膠體的步驟之前,更包括提供一第一模具與一第二模具,其中該第一模具與該第二模具共同形成一模穴,使得該晶片、該線路基板、該多條焊線與該膜層位于該模穴內(nèi),而該第一模具壓著于該膜層上且覆蓋該開孔,且該第二模具覆蓋該晶片與該線路基板的該第二表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于其中所述在移除該膜層的步驟之后,更包括形成多個焊球于該線路基板的該第一表面上。
6.一種晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其包括:
一線路基板,具有一第一表面、一第二表面與一貫孔,且該貫孔連接該第一表面與該第二表面;
一晶片,配置于該線路基板上且具有一主動面與多個焊墊,其中該多個焊墊配置于該主動面上,而該線路基板的該第二表面與該晶片的該主動面彼此相對,且該貫孔暴露出該多個焊墊;及
多條焊線,分別連接該多個焊墊與該線路基板的該第一表面,且該多條焊線通過該貫孔;以及
一膠體,包覆部分該主動面、該多條焊線與部分該第一表面,其中該膠體具有位于該第一表面上的一頂面與一底面,該頂面遠離該第一表面,而該底面與部分該第一表面相接觸,且該頂面的寬度與該底面的寬度的差值的二分之一除以該頂面與該底面之間距離比值的絕對值小于等于0.2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于其更包括多個焊球,配置于該線路基板的該第一表面上。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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