[發明專利]一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200610103866.0
• 申請日: 2006-08-04
• 公開（公告）號: CN101118356A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 邱海軍;王章濤;陳旭;閔泰燁
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;G02F1/1333;G03F7/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構，包括：玻璃基板、柵線、柵電極、第一絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、源電極、漏電極、及像素電極，其特征在于：柵電極和柵線上依次為第一絕緣層、有源層和摻雜層；柵電極與其上方的第一絕緣層、有源層和摻雜層共同形成柵小島；第二絕緣層覆蓋在玻璃基板、柵線及柵小島周邊部位；源電極及數據線呈一體位于第二絕緣層上方且下方同時有像素電極材料層，源電極在柵小島周邊位置與柵電極上的摻雜層相連；像素電極位于第二絕緣層上方；漏電極一端同柵電極上的摻雜層相連，另一端搭接在像素電極上。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構成的復合膜。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述第一絕緣層或第二絕緣層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構成的復合膜。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于：所述源電極、數據線或漏電極為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構成的復合膜。

5.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟一，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版進行掩模、曝光并進行蝕刻，得到柵小島圖形和柵線；

步驟二，在完成步驟一基板上沉積第二絕緣層和像素電極層，采用第二塊掩模版進行掩模、曝光并進行蝕刻，得到像素電極和數據線下方的像素電極層；

步驟三，在完成步驟二的基板上沉積源漏金屬層，采用第三塊掩模板，該掩模版為灰色調掩模板，進行定義，經過曝光顯影后得到無光刻膠區域，保留部分光刻膠區域和保留全部光刻膠區域；刻蝕無光刻膠區域得到薄膜晶體管溝道部分；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區域的光刻膠；接著沉積一層鈍化層，并結合離地剝離工藝，剝離尚存的光刻膠，其上沉積的鈍化層也隨之去除，并暴露像素電極上方的源漏金屬層；最后，對暴露的源漏金屬層進行刻蝕，得到像素電極。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述灰色調掩膜版進行定義和曝光顯影后保留全部光刻膠的區域包括薄膜晶體管溝道區域；保留部分光刻膠區域包括數據線區域、源電極區域和漏電極區域；其他部分為無光刻膠區域。

7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述刻蝕無光刻膠區域得到薄膜晶體管溝道部分包括源漏金屬層刻蝕和溝道摻雜層的刻蝕。