[發(fā)明專利]多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610103583.6
• 申請日: 2006-07-25
• 公開（公告）號: CN101114675A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉全豐
• 申請（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于一基板上，該第一導(dǎo)電層具有一閘極結(jié)構(gòu)；

一絕緣層，覆蓋于該第一導(dǎo)電層之上；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該閘極結(jié)構(gòu)上方的該絕緣層上，該半導(dǎo)體層具有數(shù)個島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及

一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該絕緣層及該半導(dǎo)體層上，該第二導(dǎo)電層具有一源極結(jié)構(gòu)及一汲極結(jié)構(gòu)；

其中每一該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一端與該源極結(jié)構(gòu)電性耦合，另一端與該汲極結(jié)構(gòu)電性耦合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體層的材料為非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一信道寬度W及一信道長度L，該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的信道寬度W不全相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體層具有一連接結(jié)構(gòu)，電性耦合該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極結(jié)構(gòu)及該汲極結(jié)構(gòu)其中之一者具有一U字形結(jié)構(gòu)，另一者具有一突出部，該突出部設(shè)置于該U字形結(jié)構(gòu)內(nèi)，該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以兩組并排的方式設(shè)置于該突出部及該U字形結(jié)構(gòu)之間。

6.一種多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一光阻層，設(shè)置于一基板上；

一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該光阻層及該基板上，該第一導(dǎo)電層具有一源極結(jié)構(gòu)與一汲極結(jié)構(gòu)；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該光阻層及該第一導(dǎo)電層上，該半導(dǎo)體層具有數(shù)個島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一端與該源極結(jié)構(gòu)電性耦合，另一端與該汲極結(jié)構(gòu)電性耦合；

一絕緣層，覆蓋于該半導(dǎo)體層及該第一導(dǎo)電層之上；以及

一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該絕緣層上，該第二導(dǎo)電層具有一閘極結(jié)構(gòu)，該閘極結(jié)構(gòu)位于該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體層的材料為非晶硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一信道寬度W及一信道長度L，該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的信道寬度W不全相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體層具有一連接結(jié)構(gòu)，電性耦合該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多信道薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極結(jié)構(gòu)及該汲極結(jié)構(gòu)其中之一者具有一U字形結(jié)構(gòu)，另一者具有一突出部，該突出部設(shè)置于該U字形結(jié)構(gòu)內(nèi)，該些島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以兩組并排的方式設(shè)置于該突出部及該U字形結(jié)構(gòu)之間。