[發明專利]非易失性半導體存儲器、半導體器件和非易失性半導體存儲器的制造方法有效
| 申請號： | 200610101497.1 | 申請日： | 2006-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN1905213A | 公開（公告）日： | 2007-01-31 |
| 發明（設計）人： | 三谷祐一郎;松下大介;大場龍二;上岡功;小澤良夫 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/788 | 分類號： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性 半導體 存儲器 半導體器件 制造 方法 | ||
【說明書】：
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