[發(fā)明專利]顯示面板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610101361.0 | 申請日: | 2006-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN101101883A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張錫明 | 申請(專利權(quán))人: | 中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/82;H05B33/10 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 臺灣省臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板的制造方法,所述方法包括:
提供一第一基板,所述第一基板具有一顯示區(qū)與一非顯示區(qū);
于所述顯示區(qū)內(nèi)形成一像素陣列,并于所述非顯示區(qū)內(nèi)形成一阻隔層,其中所述阻隔層環(huán)繞所述顯示區(qū);
于所述非顯示區(qū)內(nèi)形成一密封膠,而所述阻隔層位于所述密封膠與所述像素陣列之間;
提供一第二基板;以及
組立所述第二基板與所述第一基板,并通過所述密封膠固定所述第一基板與所述第二基板的相對位置。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,形成所述像素陣列的方法包括:
于所述基板上形成多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線與多個主動元件,其中所述掃描配線與數(shù)據(jù)配線于所述基板上定義出多個像素區(qū)域,而各所述主動元件位于對應的所述像素區(qū)域內(nèi),并與對應的各所述掃描配線與各所述數(shù)據(jù)配線電性連接;
于各所述像素區(qū)域內(nèi)形成一像素電極而與所述主動元件電性連接;
于所述像素電極上形成一有機官能層;以及
于所述有機官能層上形成一共用電極。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述阻隔層在形成所述像素陣列的至少一個步驟中一并形成。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述主動元件為薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,形成各所述有機官能層的方法包括:
于所述像素電極上形成一空穴傳輸層;
于所述空穴傳輸層上形成一發(fā)光層;以及
于所述發(fā)光層上形成一電子傳輸層。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,形成所述像素陣列的方法包括:
于所述基板上形成多個彼此平行的第一條狀電極;
于所述基板上形成一有機官能層而覆蓋所述第一條狀電極;以及
于所述有機官能層上形成多個彼此平行的第二條狀電極,其中所述第二條狀電極與所述第一條狀電極的延伸方向不同。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述阻隔層在形成所述像素陣列的至少一個步驟中一并形成。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,形成所述有機官能層的方法包括:
于基板上形成一空穴傳輸層且覆蓋所述第一條狀電極;
于所述空穴傳輸層上形成一發(fā)光層;以及
于所述發(fā)光層上形成一電子傳輸層。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,在形成所述密封膠之后以及組立所述第一基板與所述第二基板之前,還包括在所述顯示區(qū)內(nèi)形成一液晶層。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,形成所述像素陣列的方法包括:
于所述基板上形成多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線與多個主動元件,其中所述掃描配線與數(shù)據(jù)配線于所述基板上定義出多個像素區(qū)域,而各所述主動元件位于對應的各所述像素區(qū)域內(nèi),并與對應的各所述掃描配線與各所述數(shù)據(jù)配線電性連接;以及
于各所述像素區(qū)域內(nèi)形成一像素電極而與所述主動元件電性連接。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述第二基板為一彩色濾光片。
12.一種顯示面板,所述面板包括:
一第一基板,具有一顯示區(qū)與一非顯示區(qū),其中所述顯示區(qū)內(nèi)具有一像素陣列;
一阻隔層,配置于所述非顯示區(qū)內(nèi),且環(huán)繞所述顯示區(qū);
一第二基板,位于所述第一基板的對側(cè);以及
一密封膠,位于所述第一基板與所述第二基板之間,其中所述密封膠位于所述第一基板的所述非顯示區(qū)內(nèi),且所述阻隔層是位于所述密封膠與所述像素陣列之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





