[發明專利]制作懸浮結構的方法無效
| 申請號： | 200610101137.1 | 申請日： | 2006-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN101100281A | 公開（公告）日： | 2008-01-09 |
| 發明（設計）人： | 康育輔 | 申請（專利權）人： | 探微科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作 懸浮 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制作懸浮結構的方法，其包括：
提供基底；
在所述基底上形成第一光致抗蝕劑圖案；
加熱所述第一光致抗蝕劑圖案使所述第一光致抗蝕劑圖案硬化，所述第一光致抗蝕劑圖案作為犧牲層之用；
在所述基底與所述犧牲層上方形成第二光致抗蝕劑圖案，所述第二光致抗蝕劑圖案暴露出部分所述犧牲層與部分所述基底；
在所述基底、所述第二光致抗蝕劑圖案與所述犧牲層上方形成結構層；
進行剝離工藝，移除所述第二光致抗蝕劑圖案與位于所述第二光致抗蝕劑圖案上方的所述結構層；以及
進行干式蝕刻工藝以移除所述犧牲層，使位于所述基底與所述犧牲層上方的所述結構層，形成所述懸浮結構。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層具有圓角化的側壁。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層具有傾斜的側壁。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述結構層的材料包括金屬。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述結構層的材料包括單晶硅、非晶硅或多晶硅。
6.如權利要求1所述的方法，其中形成所述結構層的方法包括化學氣相沉積工藝或鍍膜工藝。
7.如權利要求6所述的方法，其中所述化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積工藝。
8.如權利要求1所述的方法，其中所述剝離工藝包括濕式蝕刻工藝。
9.如權利要求1所述的方法，其中所述干式蝕刻工藝包括濺射蝕刻工藝、等離子體蝕刻工藝、或反應性離子蝕刻工藝。
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