[發明專利]低噪聲輕薄型光電感測裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 200610100519.2 | 申請日: | 2006-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN101097932A | 公開(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發明(設計)人: | 曾世憲 | 申請(專利權)人: | 曾世憲 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H01L23/552;H01L25/00;H01L23/488;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噪聲 輕薄 電感 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種低噪聲輕薄光電感測裝置,其主要構造包含有:
一光電感測基底,其包含有:
一光電轉換元件區,該光電轉換元件可使入射于該元件上的電磁輻射能量的大小轉換成為電荷量的多少;
一電極焊墊和外部電極接合榫,其可作為該光電感測裝置的外部電性連接端;
一周圍電路,其環繞光電轉換元件區,并與光電轉換元件和電極焊墊具有電性連接;
一電磁屏蔽層,其以導電材料形成,并可與其他電路的接地端作電性連接,以降低該光電感測裝置的電磁噪聲干擾;及
一透明基底,其包含有對應于光電感測基底上電極焊墊的一凹槽,通過接合技術直接接合該透明基底與光電感測裝置基底。
2.根據權利要求1所述的光電感測裝置,其中該接合技術可選擇以陽極接合、共晶接合、其他粘著接合、局部接合、低溫接合等方式或其組合的其中之一接合制作。
3.根據權利要求1所述的光電感測裝置,還可包括形成一粘著層于該光電感測基底及透明基底間。
4.根據權利要求1所述的光電感測裝置,其中該接合技術可以全晶片或含至少一個光電感測裝置的部分晶片方式接合。
5.根據權利要求1所述的光電感測裝置,其中該透明基底下表面可選擇形成為一平面、球面鏡、非球面鏡、Kinoform面或上述各光學繞射或折射面的其中的任一組合光學組合面,用以增進該光電元件轉換區所呈現的光電影像圖形品質。
6.根據權利要求1所述的光電感測裝置,其中該透明基底表面可選擇包括形成至少一層光學薄膜層,用以選擇提供紅外線過濾及低頻濾光等功能。
7.根據權利要求1所述的光電感測裝置,還可包括形成一支撐層,介于該光電感測裝置管芯和該透明基底間,以使該光電感測裝置具有定焦或變焦的功能。
8.根據權利要求7所述的光電感測裝置,其中該支撐層還可包括有一導電線圈結構體和磁性體,感應產生相對的磁力作用。
9.根據權利要求1所述的光電感測裝置,還可自該光電感測基底及透明基底的表面直接磨薄該光電感測基底及透明基底。
10.根據權利要求9所述的光電感測裝置,該磨薄方式可選擇化學機械研磨、高選擇性等離子體蝕刻、拋光研磨或蝕刻技術及其中的任一組合方式制作。
11.根據權利要求1所述的光電感測裝置,該透明基底的上表面還可接合另一光學透鏡系統。
12.根據權利要求11所述的光電感測裝置,該光學透鏡系統可包括至少有一平面、球面鏡、非球面鏡、Kinoform面或上述各光學繞射或折射面的其中的任一組合光學組合面,以增進該光電感測裝置管芯的光電轉換元件的感光度。
13.根據權利要求11所述的光電感測裝置,該光學透鏡系統可通過光刻膠,經回溫控制后形成具有一預計光學透鏡面功能。
14.根據權利要求1所述的光電感測裝置,其中該光電感測基底包括貫穿基底的多個接合榫,該接合榫可選擇與周圍電路、光電轉換元件區和電極焊墊電性連接。
15.根據權利要求1所述的光電感測裝置,該光電感測基底、支撐層、透明基材的相鄰表面,還可選擇預設形成至少有一個凹起部和凸起部,以幫助提供該光電感測基底、支撐層及透明基材中的相鄰表面,能精密對準及緊密結合。
16.根據權利要求1所述的光電感測裝置,還可選擇以透明材料填充介于該光電轉換區上表面及透明基材下表面的空穴。
17.根據權利要求16所述的光電感測裝置,該透明材料可選擇為硅環氧樹脂、硅膠質、高分子材料、聚亞劉胺、液晶、塑膠、其他氣體及其中的任一組合。
18.根據權利要求1所述的光電感測裝置,該透明材料還可選擇與透明基底和光電感測裝置上的保護層相互匹配的反射系數透明材料,來達到減少該光電感測基底與透明基材間的電磁輻射能量損失。
19.根據權利要求1所述的光電感測裝置,其中該電磁屏蔽層和外接電極接合榫為一導電材料所形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





