[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的封裝方法與結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610099136.8
• 申請日: 2006-07-27
• 公開（公告）號: CN101114683A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張嘉顯;李曉喬;吳易座
• 申請（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，包含：

形成至少二焊球分別于一電路基板上的一正極和一負極上；

以芯片倒裝焊的方式放置一發(fā)光二極管芯片于該些焊球之上，以電性連接該發(fā)光二極管芯片與該電路基板，其中該發(fā)光二極管芯片的一P極與該正極電性連接，該發(fā)光二極管芯片的一N極與該負極電性連接；

壓合該發(fā)光二極管芯片與該電路基板；以及

激光切除該發(fā)光二極管芯片的一基材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，形成該焊球的方法為電鍍法或印刷法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，壓合該發(fā)光二極管與該電路基板的方式為熱壓合或超音波壓合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該激光切割所用的功率約為100至4000瓦。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該激光的頻率約為50至500kHz。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該激光為二氧化碳激光、Nd:YAG激光、Nd:YVO₄激光或準分子激光。

7.一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一電路基板；

至少二焊墊，位于該電路基板之上，包含一正極和一負極；

至少二焊球；以及

沒有基材的一發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有一P極和一N極，該些焊球位于該些焊墊與該發(fā)光二極管芯片間，用以電連接該發(fā)光二極管芯片與該電路基板，其中該發(fā)光二極管芯片的一P極與該正極電性連接，該發(fā)光二極管芯片的一N極與該負極電性連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電路基板的材質(zhì)為銀、銅、銅合金、銅銀合金、鋁、鋁合金、陶瓷材料或印刷電路板。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該焊墊的材質(zhì)為金、銀、鋁、鉑或鈀，該焊球的材質(zhì)為金、銀、錫、金錫合金、銀膠或奈米碳管膠。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片為一激光發(fā)光二極管芯片或一高功率發(fā)光二極管芯片。