[發(fā)明專利]具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610097597.1
• 申請日: 2006-11-10
• 公開（公告）號: CN101179098A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發(fā)明（設計）人: 陳家榮;王玉琦;陳文錦;邱凱;李新化
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管，包括襯底(1)上的氮化鎵層(2)，以及氮化鎵層(2)上的正極、負極(3)和其相互間的掩模(4)，所說正極包含氮化鎵鋁層(8)、肖特基接觸金屬層(7)和金屬電極層(5)，其特征在于：所說正極中還包含有多晶硅層(6)，所說多晶硅層(6)位于所說肖特基接觸金屬層(7)和金屬電極層(5)之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管，其特征是多晶硅層(6)的厚度為100～500nm、電阻率為6×10^-2～2×10^-1Ωcm。

3.根據(jù)權利要求1所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管，其特征是肖特基接觸金屬層(7)為金屬鎳層或金屬金層或金屬鉑層或金屬鈀層或金屬錸層或鉭鎳合金層或鉑銦層或鎳硅層或鉑硅層。

4.根據(jù)權利要求1所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管，其特征是負極(3)為歐姆接觸，其接觸層為鈦鋁合金層或鈦鋁鉬金層或鈦鋁鈦金層。

5.根據(jù)權利要求1所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管，其特征是掩模(4)為氮化硅掩模或氮化鋁掩模或氧化硅掩模。

6.根據(jù)權利要求1所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管的制備方法，包括使用分子束外延法和等離子體化學氣相淀積法于襯底上生長或淀積氮化鎵層及其上的正極、負極和其相互間的掩模，所說正極包含氮化鎵鋁層、肖特基接觸金屬層和金屬電極層，其特征在于是按以下步驟完成的：

(a)先使用外延法于襯底上生長氮化鎵層，再分別使用現(xiàn)有方法于其上分別生長或淀積正極、負極和掩模；

(b)使用低壓化學氣相淀積法或金屬濺射法或電子回旋共振-等離子體增強化學氣相淀積法于肖特基接觸金屬層上淀積多晶硅層，同時使用離子注入法或離子擴散法或化學氣相淀積中的摻雜法來調(diào)整多晶硅層的電阻率，制得具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管。

7.根據(jù)權利要求6所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管的制備方法，其特征是淀積多晶硅層時的襯底溫度為550～700℃，多晶硅的離子注入濃度為10¹⁵/cm³～10¹⁷/cm³。

8.根據(jù)權利要求6所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管的制備方法，其特征是肖特基接觸金屬為金屬鎳或金屬金或金屬鉑或金屬鈀或金屬錸或鉭鎳合金或鉑銦合金或鎳硅或鉑硅，其退火溫度為500～700℃、退火時間為2～4min。

9.根據(jù)權利要求6所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管的制備方法，其特征是于氮化鎵層的表面淀積掩模為使用常壓化學氣相淀積法或低壓化學氣相淀積法或等離子體增強化學氣相淀積法或高密度等離子體化學氣相淀積法，淀積掩模時的壓力為1～3.5Pa。

10.根據(jù)權利要求6所述的具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管的制備方法，其特征是于多晶硅層上淀積金屬電極層為使用蒸發(fā)法或濺射法，金屬電極層為金屬金層，其厚度為20～60nm。