[發明專利]動態隨機存取存儲器及溝渠式電容器的制造方法

無效

• 申請號: 200610094592.3
• 申請日: 2006-06-21
• 公開（公告）號: CN101093835A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 王建國;黃俊麒;李瑞池;林永昌
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/82;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種動態隨機存取存儲器，包括：

基底；

隔離結構，設置于該基底中，包括：

第一隔離結構；以及

第二隔離結構，設置于該第一隔離結構上方的該基底中，而該第二隔離結構的底面低于該基底的表面，且該第二隔離結構的邊界位于該第一隔離結構的邊界外；

二晶體管，分別配置于該隔離結構兩側的該基底上；

二溝渠式電容器，分別配置于各該晶體管與該隔離結構之間，且部分該第二隔離結構位于該些溝渠式電容器中；以及

二通過柵極結構，完全配置于該第二隔離結構上。

2.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中該第二隔離結構覆蓋相鄰兩個溝渠式電容器的一部分。

3.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中該第二隔離結構完全覆蓋相鄰兩個溝渠式電容器。

4.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，還包括二接觸窗，分別連接至所對應的各該溝渠式電容器。

5.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中各該溝渠式電容器包括：

上電極；

下電極，配置于該上電極周緣的該基底中；以及

電容介電層，配置于該上電極與該下電極之間。

6.如權利要求5所述的動態隨機存取存儲器，其中該電容介電層的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

7.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中該第一隔離結構的材料包括氧化硅。

8.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其中該第二隔離結構的材料包括氧化硅。

9.一種溝渠式電容器的制造方法，包括：

于基底中形成第一隔離結構；

于該第一隔離結構兩側的該基底中分別形成溝渠式電容器；

移除部分各該溝渠式電容器，以形成開口；以及

形成填滿該開口的第二隔離結構。

10.如權利要求9所述的溝渠式電容器的制造方法，其中該開口的形成方法，包括：

于該基底上形成圖案化掩模層，且該圖案化掩模層暴露出該些溝渠式電容器；

對所暴露出該些溝渠式電容器進行蝕刻工藝；以及

移除該圖案化掩模層。

11.如權利要求10所述的溝渠式電容器的制造方法，其中所進行的該蝕刻工藝包括各向異性蝕刻工藝。

12.如權利要求10所述的溝渠式電容器的制造方法，其中該圖案化掩模層包括圖案化光致抗蝕劑層。

13.如權利要求9所述的溝渠式電容器的制造方法，其中該第二隔離結構的形成方法，包括：

于該基底上形成絕緣層，且該絕緣層填滿該開口；以及

移除該開口以外的該絕緣層。

14.如權利要求13所述的溝渠式電容器的制造方法，其中形成該絕緣層的方法包括化學氣相沉積法。

15.如權利要求13所述的溝渠式電容器的制造方法，其中移除該開口以外的該絕緣層的方法包括化學機械拋光法。