[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 200610094492.0
• 申請日: 1994-01-18
• 公開（公告）號: CN101090124A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 山崎舜平;竹村保彥
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王忠忠

1.一種電光系統，包括：

顯示器，包括襯底上的驅動器電路，所述驅動器電路包含n溝道 薄膜晶體管和p溝道薄膜晶體管；

其中所述n溝道薄膜晶體管和所述p溝道薄膜晶體管中的每個包 括：

半導體層；

形成在所述半導體層中的源區和漏區，所述源區和所述漏區 之間有位于所述半導體層中的溝道區；

毗鄰所述溝道區的柵絕緣膜；

毗鄰所述溝道區包括鉬的柵極，所述柵極和所述溝道區之間 介有所述柵絕緣膜；及

一對輕度摻雜區，其中一個輕度摻雜區位于所述溝道區和所 述源區之間，而另一個輕度摻雜區位于所述溝道區和所述漏區之 間，

其中所述n溝道薄膜晶體管中的每個輕度摻雜區的寬度為 0.2至0.3微米，而所述p溝道薄膜晶體管中的每個輕度摻雜區 的寬度為0至0.2微米。

2.根據權利要求1的電光系統，其中所述襯底是玻璃襯底。

3.根據權利要求1的電光系統，其中所述n溝道薄膜晶體管的 所述輕度摻雜區含有濃度比所述n溝道薄膜晶體管的所述源區和漏區 低的磷。

4.一種電光系統，包括：

顯示器，包括襯底上的驅動器電路，所述驅動器電路包含n溝道 薄膜晶體管和p溝道薄膜晶體管；

其中所述n溝道薄膜晶體管和所述p溝道薄膜晶體管中的每個包 括：

半導體層；

形成在所述半導體層中的源區和漏區，所述源區和所述漏區 之間有位于所述半導體層中的溝道區；

毗鄰所述溝道區的柵絕緣膜；

毗鄰所述溝道區包括鎢的柵極，所述柵極和所述溝道區之間 介有所述柵絕緣膜；及

一對輕度摻雜區，其中一個輕度摻雜區位于所述溝道區和所 述源區之間，而另一個輕度摻雜區位于所述溝道區和所述漏區之 間，

其中所述n溝道薄膜晶體管中的每個輕度摻雜區的寬度為 0.2至0.3微米，而所述p溝道薄膜晶體管中的每個輕度摻雜區 的寬度為0至0.2微米。

5.根據權利要求4的電光系統，其中所述襯底是玻璃襯底。

6.根據權利要求4的電光系統，其中所述n溝道薄膜晶體管的 所述輕度摻雜區含有濃度比所述n溝道薄膜晶體管的所述源區和漏 區低的磷。