[發明專利]填料、它的應用及其制造方法

無效

• 申請號: 200610094483.1
• 申請日: 1997-09-22
• 公開（公告）號: CN101081910A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: K·霍恩;A·德布雷;P·施洛特爾;R·施米特;J·施奈登
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: C08K3/00
• 分類號: C08K3/00;C08K9/00;C08L63/00;H01L33/00;H01L51/30;H05B33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 魏軍

1.一種基于透明環氧樹脂的填料(5)，它應用于具有一個發紫外光、藍光或綠光的發光體(1)的電致發光元件中，

其特征在于：

在所述透明環氧樹脂中包含一個無機發光色料顆粒的組，該組由稀土元素摻雜的石榴石、稀土元素摻雜的硫鎵酸鹽、稀土元素摻雜的鋁酸鹽及用稀土元素摻雜的原硅酸鹽構成，

所述無機發光色料顆粒具有粒度≤20μm和d₅₀≤5μm。

2.根據權利要求1的填料，其特征在于：所述無機發光材料顆粒(6)是球形的或鱗片狀的。

3.根據權利要求1填料，其特征在于：所述無機發光材料顆粒(6)的平均顆粒直徑d₅₀在1及2μm之間。

4.根據權利要求1至3中任一項的填料，其特征為：該填料(5)是由以下成分組成的：

a)環氧樹脂≥60Gew％且＜100Gew％

b)無機發光材料顆粒＞0且≤25Gew％

c)觸變劑＞0且≤10Gew％

d)礦物擴散劑＞0且≤10Gew％

e)處理助劑＞0且≤3Gew％

f)疏水劑＞0且≤3Gew％

g)附著媒介質＞0且≤2Gew％。

5.根據權利要求1至3中任一項的填料，其特征在于：使用出自于用Ce摻雜的石榴石組中的顆粒作為無機發光材料顆粒。

6.根據權利要求5的填料，其特征在于：使用YAG:Ce顆粒作為無機發光材料顆粒。

7.根據權利要求1至3中任一項的填料，其特征在于：它的鐵含量≤20ppm。

8.根據權利要求1至3中任一項的填料，其特征在于：所述無機發光材料顆粒在與環氧樹脂混合前在≥200℃溫度下進行熱處理。

9.發光半導體元件，具有一個半導體主體(1)，它在半導體元件工作時發出在紫外、藍和/或綠光光譜區域中的光波，

其特征在于：

半導體主體(1)由一種基于透明環氧樹脂的填料(5)所包圍，該填料(5)應用于具有一個發紫外光、藍光或綠光的發光體(1)的電致發光元件中，在所述透明環氧樹脂中包含一個無機發光色料顆粒的組，該組由稀土元素摻雜的石榴石、稀土元素摻雜的硫鎵酸鹽、稀土元素摻雜的鋁酸鹽及用稀土元素摻雜的原硅酸鹽構成，所述無機發光色料顆粒具有粒度≤20μm和d₅₀≤5μm，并且

無機發光材料顆粒使出自于該光譜區域中的光波的一部分轉換成具有較長波長的光波，以使得該半導體元件發射由該被轉換的光波及出自于紫外、藍和/或綠光光譜區域的光波組成的混合光波。

10.根據權利要求9的發光半導體元件，其特征在于：所述半導體主體(1)被設置在一個透明基殼(8)的槽(9)中；及槽(9)全部或者部分地用填料(5)填充。

11.根據權利要求9的發光半導體元件，其特征在于：所述無機發光材料顆粒(6)是球形的或鱗片狀的。

12.根據權利要求9的發光半導體元件，其特征在于：所述無機發光材料顆粒(6)的d₅₀在1及2μm之間。

13.根據權利要求9、11或者12的發光半導體元件，其特征在于：

a)環氧樹脂≥60Gew％且＜100Gew％

b)無機發光材料顆粒＞0且≤25Gew％

c)觸變劑＞0且≤10Gew％

d)礦物擴散劑＞0且≤10Gew％

e)處理助劑＞0且≤3Gew％

f)疏水劑＞0且≤3Gew％

g)附著媒介質＞0且≤2Gew％。

14.根據權利要求9、11或者12的發光半導體元件，其特征在于：

使用出自于用Ce摻雜的石榴石組中的顆粒作為無機發光材料顆粒。

15.根據權利要求9、11或者12的發光半導體元件，其特征在于：

使用YAG:Ce顆粒作為無機發光材料顆粒。

16.根據權利要求9、11或者12的發光半導體元件，其特征在于：

它的鐵含量≤20ppm。