[發明專利]一定缺陷特性的半導體硅晶片的制法以及具有該特性的半導體硅晶片有效
| 申請號： | 200610093779.1 | 申請日： | 2006-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN1896339A | 公開（公告）日： | 2007-01-17 |
| 發明（設計）人： | 維爾弗里德·馮·阿蒙;瓦爾特·黑克爾;安德烈亞斯·胡貝爾;烏爾里希·蘭貝特 | 申請（專利權）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 過曉東 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一定 缺陷 特性 半導體 晶片 制法 以及 具有 | ||
【權利要求書】：
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