[發(fā)明專利]氮化物晶體、氮化物晶體襯底、含有外延層的氮化物晶體襯底、半導(dǎo)體器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610093296.1 | 申請日： | 2006-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN1896343A | 公開（公告）日： | 2007-01-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 石橋惠二;楫登紀(jì)子;中畑成二;西浦隆幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;H01L21/08;H01L21/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 晶體 襯底 含有 外延 半導(dǎo)體器件 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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