[發明專利]用于FinFET的散熱結構及其制造方法有效
| 申請號： | 200610093072.0 | 申請日： | 2006-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN1885564A | 公開（公告）日： | 2006-12-27 |
| 發明（設計）人： | J·H·蘭金;B·A·安德森;W·F·小克拉克;E·J·諾瓦克 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/36;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 于靜;劉瑞東 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 finfet 散熱 結構 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國際商業機器公司，未經國際商業機器公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610093072.0/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：背光開路保護電路
- 下一篇：高壓射淋油煙塵凈化裝置
- 同類專利
- 專利分類
