[發(fā)明專利]單壁碳管的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610091362.1 | 申請日： | 2006-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN101088915A | 公開（公告）日： | 2007-12-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王威翔;郭正次;洪蔡豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 錸德科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 余嵐 |
| 地址： | 臺灣省新竹縣湖*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單壁碳管 制造 方法 | ||
1.一種單壁碳管的制造方法，該單壁碳管的制造方法包括：
使用一觸媒為單壁碳管的生成反應(yīng)的催化劑，該觸媒基本上由下述成分所組成：
催化碳管生長的一過渡金屬；
防止觸媒顆粒聚集的一前驅(qū)金屬的金屬氧化物；以及
一貴重金屬，該貴重金屬的氧化物在還原時，會產(chǎn)生類似爆炸的效應(yīng)來分散該觸媒顆粒；以及
通入一碳源氣體，以化學(xué)氣相沉積法形成單壁碳管。
2.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述過渡金屬的含量約為20-90重量百分比，所述金屬氧化物的含量約為5-30重量百分比，且所述貴重金屬的含量約為5-60重量百分比。
3.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述過渡金屬為鐵、鈷或鎳。
4.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述前驅(qū)金屬的金屬氧化物為氧化鉻、氧化鉭、氧化釩或氧化鈦。
5.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述前驅(qū)金屬的金屬氧化物為氧化鉻。
6.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述貴重金屬為鉑、銀、金或鈀。
7.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述貴重金屬為鉑。
8.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述過渡金屬為鈷，所述金屬氧化物為氧化鉻，以及所述貴重金屬為鉑。
9.如權(quán)利要求1所述的單壁碳管的制造方法，其中所述碳源氣體為甲烷、乙烯或乙炔。
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