[發明專利]磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法

無效

• 申請號: 200610089346.9
• 申請日: 2006-06-21
• 公開（公告）號: CN101093803A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 于進勇;劉新宇;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1、一種磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，該方法包括：

A、在磷化銦異質結雙極型晶體管InP?HBT外延層結構表面涂敷負性光刻膠，對涂敷的負性光刻膠進行曝光、反轉、顯影處理，形成發射極窗口圖形；

B、在形成發射極窗口圖形的InP?HBT外延層結構表面蒸發/濺射發射極材料；

C、將負性光刻膠及其上方沉積的發射極材料從InP?HBT外延層結構表面剝離，形成發射極；

D、以形成的發射極為掩模，腐蝕InP?HBT外延層結構的蓋帽層和發射極層，形成發射極臺面；

E、在形成發射極臺面的InP?HBT外延層結構表面涂敷正性光刻膠，對涂敷的正性光刻膠進行曝光、顯影處理，形成基極窗口圖形；

F、在形成基極窗口圖形的InP?HBT外延層結構表面蒸發/濺射一層金屬電極材料；

G、將正性光刻膠及其上方沉積的金屬電極材料從InP?HBT外延層結構表面剝離，形成發射極和基極自對準的InP?HBT。

2、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，

步驟A中所述涂敷的負性光刻膠為AZ5214，或為AZ5206；

步驟A中所述在InP?HBT外延層結構表面涂敷負性光刻膠包括：在InP?HBT外延層結構表面涂敷一層厚度為0.5至3μm的負性光刻膠AZ5214或AZ5206。

3、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟A中所述在InP?HBT外延層結構表面涂敷負性光刻膠后進一步包括：

對涂敷負性光刻膠的InP?HBT外延層結構進行前烘，所述前烘條件為：在溫度80至100℃下烘烤70至110秒。

4、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟A中所述對涂敷的負性光刻膠進行曝光包括：

將涂敷有負性光刻膠的InP?HBT外延層結構在G、H、I線光源的接觸式曝光機或投影光刻機下曝光，曝光時自對準的邊平行于InP?HBT外延層結構的[]方向。

5、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟A中所述對涂敷的負性光刻膠進行反轉包括：

將曝光后的InP?HBT外延層結構在105至130℃的熱板上烘烤80至100秒。

6、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟A中所述對涂敷的負性光刻膠進行反轉后進一步對涂敷的負性光刻膠進行泛曝光，具體泛曝光過程包括：

將反轉后的InP?HBT外延層結構在G、H、I線光源的接觸式曝光機或投影光刻機下進行無掩模曝光。

7、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟A中所述對涂敷的負性光刻膠進行顯影包括：將泛曝光后的InP?HBT外延層結構置于顯影液中顯影。

8、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟A中所述對涂敷的負性光刻膠進行顯影之后進一步包括：

將顯影后的InP?HBT外延層結構置于干法刻蝕機中處理殘膠。

9、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟B中所述在InP?HBT外延層結構表面蒸發/濺射發射極材料為導電材料，或為導電材料的組合。

10、根據權利要求9所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，所述導電材料為金屬材料，或者為非金屬材料。

11、根據權利要求1所述的磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特征在于，步驟C中所述將負性光刻膠及其上方沉積的發射極材料從InP?HBT外延層結構表面剝離包括：

將蒸發/濺射發射極材料后的InP?HBT外延層結構浸泡在有機溶劑中，將負性光刻膠及其上方沉積的發射極材料從InP?HBT外延層結構表面剝離，然后清洗InP?HBT外延層結構。