[發(fā)明專利]含有Si元素和C元素的MgB2超導(dǎo)材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610089151.4 | 申請日: | 2006-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN1929044A | 公開(公告)日: | 2007-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張現(xiàn)平;馬衍偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電工研究所 |
| 主分類號: | H01B12/00 | 分類號: | H01B12/00;H01B13/00;H01L39/12;H01L39/24 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 關(guān)玲 |
| 地址: | 100080北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含有 si 元素 mgb sub 超導(dǎo) 材料 及其 制備 方法 | ||
【說明書】:
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