[發明專利]一種照明用氮化鎵基發光二極管器件

無效

• 申請號: 200610089074.2
• 申請日: 2006-08-02
• 公開（公告）號: CN101118937A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 韓培德
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件包括：

n型襯底(2)；

在n型襯底(2)上依次外延生長的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源層(7)；

在p型InGaN有源層(7)上制備的p型透明電極(9)；和

在n型襯底(2)的背面制備的n型電極(10)。

2.根據權利要求1所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述p型InGaN有源層(7)與p型透明電極(9)之間進一步包括：

p型GaN基化合物(5)，該p型GaN基化合物(5)在n型襯底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源層(7)和p型GaN基化合物(5)的順序依次外延生長而成，并在p型GaN基化合物(5)上制備p型透明電極(9)。

3.根據權利要求2所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述p型InGaN有源層(7)與n型GaN基化合物(4)之間進一步包括：

n型InGaN有源層(6)，該n型InGaN有源層(6)在n型襯底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源層(6)、p型InGaN有源層(7)和p型GaN基化合物(5)的順序依次外延生長而成。

4.根據權利要求1所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述p型InGaN有源層(7)與n型GaN基化合物(4)之間進一步包括：

n型InGaN有源層(6)，該n型InGaN有源層(6)在n型襯底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源層(6)和p型InGaN有源層(7)的順序依次外延生長而成。

5.根據權利要求4所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述p型InGaN有源層(7)與p型透明電極(9)之間進一步包括：

p型GaN基化合物(5)，該p型GaN基化合物(5)在n型襯底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源層(6)、p型InGaN有源層(7)和p型GaN基化合物(5)的順序依次外延生長而成，并在p型GaN基化合物(5)上制備p型透明電極(9)。

6.根據權利要求1所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在p型InGaN有源層(7)上進一步包括：

n型GaN基化合物(4)，該n型GaN基化合物(4)在n型襯底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源層(7)和n型GaN基化合物(4)的順序依次外延生長而成，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方法，將最外層的n型GaN基化合物(4)局部去除，露出p型InGaN有源層(7)，在露出的p型InGaN有源層(7)上制備p型電極(13)，在剩余未刻蝕的最外層n型GaN基化合物(4)上制備n型透明電極(12)。

7.根據權利要求6所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件進一步包括：

連接n型透明電極(12)與n型電極(10)，它們與p型電極(13)形成兩個pn異質結的并聯；

所述pn異質結為p型InGaN有源層(7)與其兩側n型GaN基化合物(4)所形成的pn異質結。

8.根據權利要求6所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在p型InGaN有源層(7)與最外層n型GaN基化合物(4)之間進一步包括：

n型InGaN有源層(6)，該n型InGaN有源層(6)在n型襯底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源層(7)、n型InGaN有源層(6)和n型GaN基化合物(4)的順序依次外延生長而成，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方法，將最外層n型GaN基化合物(4)和次外層n型InGaN有源層(6)局部去除，露出p型InGaN有源層(7)。