[發明專利]一種照明用氮化鎵基發光二極管器件

無效

• 申請號: 200610088934.0
• 申請日: 2006-07-27
• 公開（公告）號: CN101114681A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 韓培德
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件包括：

藍寶石襯底(1)；

在藍寶石襯底(1)上依次外延生長的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源層(7)；

采取干法刻蝕或濕法腐蝕的方法將p型InGaN有源層(7)局部去除，在露出的n型GaN基化合物(4)上制備的n型電極(8)；和

在剩余未刻蝕的p型InGaN有源層(7)上制備的大面積p型透明電極(9)。

2.根據權利要求1所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述p型InGaN有源層(7)與p型透明電極(9)之間進一步包括：

p型GaN基化合物(5)，該p型GaN基化合物(5)在藍寶石襯底(1)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源層(7)和p型GaN基化合物(5)的順序依次外延生長而成，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方法，將p型GaN基化合物(5)和p型InGaN有源層(7)局部去除，在露出的n型GaN基化合物(4)上制備n型電極(8)，在剩余未刻蝕的p型GaN基化合物(5)上制備大面積p型透明電極(9)。

3.根據權利要求2所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述n型GaN基化合物(4)與p型InGaN有源層(7)之間進一步包括：

n型InGaN有源層(6)，該n型InGaN有源層(6)在藍寶石襯底(1)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源層(6)、p型InGaN有源層(7)和p型GaN基化合物(5)的順序依次外延生長而成，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方法，將p型GaN基化合物(5)、p型InGaN有源層(7)和n型InGaN有源層(6)局部去除，露出n型GaN基化合物(4)。

4.根據權利要求1所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述n型GaN基化合物(4)與p型InGaN有源層(7)之間進一步包括：

n型InGaN有源層(6)，該n型InGaN有源層(6)在藍寶石襯底(1)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源層(6)和p型InGaN有源層(7)的順序依次外延生長而成，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方法，將p型InGaN有源層(7)和n型InGaN有源層(6)局部去除，露出n型GaN基化合物(4)。

5.根據權利要求4所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，該二極管器件在所述p型InGaN有源層(7)與p型透明電極(9)之間進一步包括：

p型GaN基化合物(5)，該p型GaN基化合物(5)在藍寶石襯底(1)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源層(6)、p型InGaN有源層(7)和p型GaN基化合物(5)的順序依次外延生長而成，并采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方法，將p型GaN基化合物(5)、p型InGaN有源層(7)和n型InGaN有源層(6)局部去除，在露出的n型GaN基化合物(4)上制備n型電極(8)，在剩余未刻蝕的p型GaN基化合物(5)上制備大面積p型透明電極(9)。

6.根據權利要求1至5任一項所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，所述藍寶石襯底(1)為無極性的藍寶石Al₂O₃襯底。

7.根據權利要求1至5任一項所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，

所述n型GaN基化合物(4)為n型GaN、n型AlGaN或n型InGaN三種化合物的任意一種，或者為n型GaN、n型AlGaN或n型InGaN三種化合物的任意組合，所述n型GaN基化合物(4)的禁帶寬度大于n型InGaN有源層(6)和p型InGaN有源層(7)的禁帶寬度。

8.根據權利要求1至5任一項所述的照明用氮化鎵基發光二極管器件，其特征在于，

所述p型GaN基化合物(5)為p型GaN、p型AlGaN或p型InGaN三種化合物的任意一種，或者為p型GaN、p型AlGaN或p型InGaN三種化合物的任意組合，所述p型GaN基化合物(5)的禁帶寬度大于p型InGaN有源層(7)和n型InGaN有源層(6)的禁帶寬度。