[發明專利]玻璃基板表面金屬層結構及其制作方法

有效

• 申請號: 200610084629.4
• 申請日: 2006-05-19
• 公開（公告）號: CN101075640A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 賴欽詮;邱羨坤;吳泉毅
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 謝麗娜;陳肖梅

1.一種玻璃基板表面的金屬層結構，包含：

一玻璃基板，其中該玻璃基板的表面為一經改質的氮化硅接面；

及

一金屬層，形成于該氮化硅接面上，且該金屬層與該氮化硅接面接觸。

2.如權利要求1所述的玻璃基板表面的金屬層結構，其中該金屬層為擇其一的一銅層、一銀層、一銅合金層及一銀合金層。

3.如權利要求1所述的玻璃基板表面的金屬層結構，其中該氮化硅接面的厚度不小于50埃。

4.一種玻璃基板上的薄膜晶體管，包含：

一玻璃基板，其中該玻璃基板的表面為一經改質的氮化硅接面；

一柵極層，形成于該玻璃基板之表面的氮化硅接面上，且該柵極層與該氮化硅接面接觸；

一絕緣層，覆蓋該柵極層；

一半導體層，形成于該絕緣層上；

一第一與第二摻雜層，形成于該半導體層上；及

一源極與一漏極分別形成于該第一與第二摻雜層上。

5.如權利要求4所述的玻璃基板上的晶體管結構，其中該氮化硅接面的厚度不小于50埃。

6.如權利要求4所述的玻璃基板上的晶體管結構，其中該柵極層為擇其一的一銅金屬層、一銀金屬層、一銅合金層及一銀合金層。

7.如權利要求4所述的玻璃基板上的晶體管結構，其中該半導體層為一非晶硅層。

8.如權利要求4所述的玻璃基板上的晶體管結構，其中該摻雜層為一磷離子摻雜層。