[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和制造該半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610083496.9
• 申請(qǐng)日: 2006-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101083280A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 下井田良雄;星正勝;林哲也;田中秀明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/02;H01L21/336;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 劉新宇;權(quán)鮮枝

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基底，其包括漏區(qū)和襯底，其中所述漏區(qū)形成在所述襯底的表面上并且具有第一主表面和與所述第一主表面相對(duì)的第二主表面；以及

開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)，其形成在所述漏區(qū)的所述第一主表面上，并切換電流的導(dǎo)通/關(guān)斷，

其中，在所述漏區(qū)內(nèi)間隔排列有多個(gè)柱形異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)，所述異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)由帶隙與所述漏區(qū)的帶隙不同的半導(dǎo)體材料制成，并且所述異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)至少在所述第一主表面和所述第二主表面之間延伸以接觸所述襯底，使得在所述開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)關(guān)斷時(shí)，所述漏區(qū)的整個(gè)區(qū)域被耗盡，以及

其中，所述異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)是相對(duì)于所述漏區(qū)具有高濃度的第二導(dǎo)電類型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底由碳化硅、氮化鎵和金剛石中的任一種制成，所述異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)由單晶硅、多晶硅和非晶硅中的至少一種制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

源極，其形成在所述半導(dǎo)體基底的第一主表面上；

漏極，其形成在所述半導(dǎo)體基底的所述第一主表面或與所述第一主表面相對(duì)的第二主表面上并與其歐姆接觸，

其中，所述開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)切換所述漏極和所述源極之間的電流的導(dǎo)通/關(guān)斷，所述異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)與所述源極電連接。

4.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：

從所述漏區(qū)的所述第一主表面向所述第二主表面形成多個(gè)柱形溝槽的步驟；以及

向每個(gè)所述溝槽填充所述半導(dǎo)體材料來(lái)形成所述異質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)的步驟。