[發明專利]防磁頭隧道磁電阻的磁阻阻抗降低的方法及微紋形成方法

有效

• 申請號: 200610081900.9
• 申請日: 2006-05-16
• 公開（公告）號: CN101075437A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 馬洪濤;方宏新;陳寶華
• 申請（專利權）人: 新科實業有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種防止磁頭之隧道磁電阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于包括下列步驟：

(a)將由若干磁頭結構的本體構成的磁條定位在一托盤上，每一磁頭結構的本體具有一極尖，極尖具有一隧道磁電阻元件；

(b)將所述托盤裝入處理室，抽空處理室至預設的壓強；

(c)向所述處理室引入包含氧氣的處理氣體；及

(d)將所述磁頭結構的本體暴露在處理氣體中的蝕刻手段中，使隧道磁電阻元件表面氧化而形成一層氧化層；

(e)在所述氧化層上形成厚度為40埃的硅層；

(f)在所述硅層上形成類金剛石碳層。

2.如權利要求1所述的防止磁頭之隧道磁電阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述隧道磁電阻元件包括二金屬層及一夾在二金屬層之間的阻擋層，所述氧化層形成在二金屬層上。

3.如權利要求1所述的防止磁頭之隧道磁電阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化層的厚度在1.5納米至4納米之間。

4.如權利要求3所述的防止磁頭之隧道磁電阻的磁阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化層的厚度為2納米。

5.一種在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于包括下列步驟：

(a)將由若干磁頭結構的本體構成的磁條定位在一托盤上，每一磁頭結構的本體具有一極尖，極尖具有一隧道磁電阻元件；

(b)將所述托盤裝入處理室，抽空處理室至預設的壓強；

(c)向所述處理室引入包含氧氣的處理氣體；

(d)將所述磁條暴露在處理氣體中的蝕刻手段中而在每一隧道磁電阻元件的表面形成一層氧化層，并在每一磁頭結構的本體之沒有覆蓋氧化層的一表面形成兩階結構的微紋；

(e)在磁頭結構的本體表面及隧道磁電阻元件的表面形成40埃的硅層；及

(f)在硅層上形成類金剛石碳層。

6.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述隧道磁電阻元件包括二金屬層及一夾在二金屬層之間的阻擋層，所述氧化層形成在二金屬層上。

7.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述氧化層的厚度在1.5納米至4納米之間。

8.如權利要求7所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述氧化層的厚度為2納米。

9.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述處理氣體是氧氣與至少一種惰性氣體的混合氣體。

10.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述處理氣體是純氧氣。

11.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：在所述步驟(a)之前還包括研磨所述磁頭結構的本體表面的步驟。

12.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：在所述步驟(c)之前還包括用光致抗蝕劑罩遮蔽所述極尖的步驟。

13.如權利要求12所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑罩可以是正極性光致抗蝕劑罩或負極性光致抗蝕劑罩。

14.如權利要求5所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述蝕刻手段包括等離子體或離子束。

15.如權利要求14所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述等離子體是直接電容耦合等離子體或電感耦合等離子體。

16.如權利要求14所述的在磁頭表面形成微紋的方法，其特征在于：所述等離子體是通過電子回旋加速共振增強微波源產生的。

17.一種磁頭制造方法，其特征在于包括以下步驟：

(a)將由若干磁頭結構的本體構成的磁條定位在一托盤上，每一磁頭結構的本體具有一極尖，極尖具有一隧道磁電阻元件；

(b)將所述托盤裝入處理室，抽空處理室至預設的壓強；

(c)向所述處理室引入包含氧氣的處理氣體；

(d)將磁條暴露在處理氣體中的蝕刻手段中而在每一隧道磁電阻元件的表面形成一層氧化層，并在每一磁頭結構的本體之沒有覆蓋氧化層的一表面形成兩階結構的微紋；

(e)在磁頭結構的本體表面及每一隧道磁電阻元件的表面形成厚度為40埃的硅層；

(f)在硅層上形成類金剛石碳層；及

(g)將磁條切割成單個的磁頭。