[發(fā)明專利]金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610081826.0
• 申請(qǐng)日: 2006-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN101071774A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡振華;藍(lán)邦強(qiáng);林育信;劉毅成;蔡成宗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，包括：

提供基底，該基底上已形成柵極結(jié)構(gòu)；

移除該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的部分該基底，以形成第一凹陷；

于該第一凹陷中沉積源極延伸層與漏極延伸層；

于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成間隙壁；

移除該間隙壁以外的該源極延伸層與該漏極延伸層及部分該基底，以形成第二凹陷；以及

于該第二凹陷中沉積源極與漏極層，

其中在該源極延伸層與該柵極下方的溝道區(qū)之間和該漏極延伸層與該柵極下方的溝道區(qū)之間具有摻雜劑擴(kuò)散阻障層。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層的形成方法包括選擇性外延沉積工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極與漏極層的形成方法包括選擇性外延沉積工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層的材料包括硅鍺。

5.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層于鄰近該基底的部分的鍺組成比大于遠(yuǎn)離該基底的部分的鍺組成比。

6.如權(quán)利要求5所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層的鍺組成比呈梯度分布。

7.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中于形成該源極延伸層與該漏極延伸層之前，還包括于該第一凹陷中形成該摻雜劑擴(kuò)散阻障層。

8.如權(quán)利要求7所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該摻雜劑擴(kuò)散阻障層的材料包括硅鍺。

9.如權(quán)利要求7所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該摻雜劑擴(kuò)散阻障層含有N型摻雜劑。

10.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層含有P型摻雜劑。

11.如權(quán)利要求10所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該P(yáng)型摻雜劑是在形成該源極延伸層與該漏極延伸層時(shí)進(jìn)行原位摻雜而注入。

12.如權(quán)利要求10所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該P(yáng)型摻雜劑包括硼離子。

13.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極與漏極層的材料包括硅鍺。

14.如權(quán)利要求13所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極與漏極層含有P型摻雜劑。

15.如權(quán)利要求14所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該P(yáng)型摻雜劑是在形成該源極與漏極層時(shí)進(jìn)行原位摻雜而注入。

16.如權(quán)利要求14所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該P(yáng)型摻雜劑包括硼離子。

17.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層的材料包括硅碳。

18.如權(quán)利要求17所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層于鄰近該基底的部分的碳組成比大于遠(yuǎn)離該基底的部分的碳組成比。

19.如權(quán)利要求18所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層的碳組成比呈梯度分布。

20.如權(quán)利要求17所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中于形成該源極延伸層與該漏極延伸層之前，還包括于該第一凹陷中形成該摻雜劑擴(kuò)散阻障層。

21.如權(quán)利要求20所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該摻雜劑擴(kuò)散阻障層的材料包括硅碳。

22.如權(quán)利要求20所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該摻雜劑擴(kuò)散阻障層含有P型摻雜劑。

23.如權(quán)利要求17所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其中該源極延伸層與該漏極延伸層含有N型摻雜劑。