[發明專利]單級高功率因數直流電源

無效

• 申請號: 200610081642.4
• 申請日: 2006-05-08
• 公開（公告）號: CN101071985A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 林福泳
• 申請（專利權）人: 林福泳;林福祥
• 主分類號: H02M3/28
• 分類號: H02M3/28;H02M3/335;H02M1/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于高頻直流電源，特別是一種高功率因素高頻直流電源。

背景技術

傳統的高頻直流電源是在整流硅橋后直接接一個濾波電容，但是這種結構會產生大量的非線性電流并污染交流電網，同時它對電網所傳送電力的利用效率較低。為了減少非線性電流達到國際標準ENG1000-3-2，人們提出很多方法來提高電源的功率因素，其中有無源高功率校正電路，其功率因素一般在80％--90％之間。還一種是有源電路，此種線路功率因素可以達到99％。有源功率校正電路以二階功率校正最為成功。其原理是先將整流后的波動直流電壓提高到一定電壓形成穩定的直流電壓再將此電壓變換成的直流電壓輸出。這種線路存在一些缺點，一是它的開始沖擊電流，二是它將現有的電壓提高增加了對后繼功率轉換元件的要求(即開關管的要求)，目前高功率因素電源的損壞多屬于這個原因。三是由于增加了一階線路，增加了電源自身的損耗，此外人們還提出了許多單階高功率因素校正線路，這些線路多以犧牲線路可靠性為代價，是不可取的。本人提出一種既

發明內容

本發明的目的是提供一種可穩定可靠、高效節能、成本較低的新的PFC高頻直流電源。

本發明的技術方案是這樣的：單級高功率因數直流電源，包括整流硅橋B1、二極管(D1、D2、D6)、開關管Q1、變壓器的初級線圈(TP1、TP2)、繼流電路(17)和電容C1；整流硅橋B1的輸入端連接交流電源，電容(C1)并接在整流硅橋B1的輸出端。初級線圈TP1的一端接整流硅橋B1的輸出正極；二極管D1、D2的陽極接初級線圈TP1的另一端；二極管D1的陰極連接開關管Q1的漏極、變壓器初級線圈TP2的一端；變壓器的初級線圈TP2的另一端(此端與初級線圈TP1接整流硅橋B1的輸出正極的那一端為同名端)和二極管D6的陰極相連；二極管D6的陽極接繼流電路(17)、二極管D2的陰極。開關管Q1的源極接整流硅橋B1的輸出負極。次級線圈接次級回路(一般是整流電路)。

繼流電路(17)包括電容(C2、C?3、C4)、二極管(D5、D3、D4)。電容C2、C4的正極和二極管D4的陰極共同連接二極管D2的陰極、D6的陽極，電容C2的負極分別連接二極管D5的陰極、二極管D3的陽極。二極管D3的陰極分別連接二極管D4的陽極和電容C3正極，電容C3、C4的負極和二極管D5的陽極共同接整流硅橋B1的輸出負極。

繼流電路(17)也可以是由一個電容C2組成，電容C2的負極連接整流硅橋B1輸出負極；電容C2的正極和連接二極管D2的陰極和二極管D6的陽極。

單級高功率因數直流電源，包括整流硅橋(B2)、二極管D11、D12、開關管Q11、變壓器的初級線圈TP11、TP12、和電容C11。整流硅橋B2的輸入端連接交流電源，電容C11并接在整流硅橋B1的輸出端。初級線圈TP11的一端接整流硅橋B1的輸出正極，二極管D12的陽極接初級線圈TP11的另一端。二極管D11的陽極接B2的輸出正極，二極管D11的陰極連接初級線圈TP12的一端(此端與初級線圈TP11接整流硅橋B2的輸出正極的那一端為同名端)、繼流電路(27)和二極管D12的陰極。初級線圈TP12的另一端連接開關管Q2的漏極；開關管Q2的源極接整流硅橋B1的輸出負極。

繼流電路(27)包括電容(C12、C13、C14)、二極管(D15、D13、D14)，電容C12、C13的正極和二極管D13的陰極共同連接二極管D12、D11的陰極和初級線圈TP12的一端。電容C13的負極分別連接二極管D14的陽極、二極管D15的陰極。二極管D14的陰極分別連接二極管D13的陽極和電容C14正極。電容C14、C12的負極和二極管D15的陽極共同同接整流硅橋B2的輸出負極。

繼流電路(27)也可以是由一個電容C12組成，電容C12的負極連接整流硅橋B2輸出負極；電容C12的正極和連接二極管D12、D11的陰極和初級線圈TP12的一端。