[發明專利]一種TFT LCD陣列基板結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200610080640.3
• 申請日: 2006-05-23
• 公開（公告）號: CN101078842A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 鄧朝勇;林承武
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;G02F1/133;H01L27/00;G03F7/20;H01L21/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1、一種TFT?LCD陣列基板結構，包括基板、柵線、柵電極、柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層及數據線，其特征在于：所述基板及柵絕緣層上除形成半導體層和歐姆接觸層部分外的部分均覆蓋有絕緣介質層，像素電極形成在該絕緣介質層和薄膜晶體管的歐姆接觸層上方，源電極和漏電極形成在像素電極的上方，鈍化層形成在源電極和漏電極的上方。

2、根據權利要求1所述的陣列基板結構，其特征在于：所述歐姆接觸層具體為微晶硅層。

3、根據權利要求1所述的陣列基板結構，其特征在于：所述數據線與源電極為一體結構。

4、根據權利要求1至3任一所述的陣列基板結構，其特征在于：所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr任意組合所構成的復合膜。

5、根據權利要求1至3任一所述的陣列基板結構，其特征在于：所述柵絕緣層或絕緣介質層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy任意組合所構成的復合膜。

6、根據權利要求1至3任一所述的陣列基板結構，其特征在于：所述源電極、漏電極或數據線為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr任意組合所構成的復合膜。

7、一種TFT?LCD陣列基板結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟一，采用濺射工藝在基板上沉積柵金屬層，然后采用化學氣相沉積法依次沉積柵絕緣介質層、半導體層和歐姆接觸層，利用第一塊灰色調掩膜板進行掩膜和刻蝕，形成柵線、柵電極、柵絕緣層及薄膜晶體管的半導體層和歐姆接觸層，且在刻蝕完成后不進行光刻膠剝離工藝；

步驟二，在完成步驟一的基板上采用化學氣相沉積法沉積絕緣介質層，通過光刻膠剝離技術，剝離掉薄膜晶體管半導體層和歐姆接觸層上的光刻膠及光刻膠上不需要的絕緣介質層；

步驟三，在完成步驟二的基板上，采用濺射方法在同一臺設備或不同的設備中連續沉積像素電極層、源漏電極金屬層，利用第二塊灰色調掩膜板進行掩膜和刻蝕，形成像素電極、源電極、漏電極、數據線和薄膜晶體管的溝道部分，其中形成的源電極和數據線為一體相連；

步驟四，在完成步驟三的基板上，采用化學氣相沉積法沉積鈍化層，進行過孔掩膜、曝光和刻蝕工藝，形成對溝道的保護，并露出綁定連線部分。

8、根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟一沉積的歐姆接觸層具體為沉積微晶硅層。

9、根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟一中采用灰色調掩膜板進行掩膜時，使形成柵線和柵電極部位對應掩膜板的部分透光部位，形成薄膜晶體管的半導體層和歐姆接觸層部位對應掩膜板的不透光部位，其他部位對應掩膜板的完全透光部位。

10、根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步驟三中采用灰色調掩膜板進行掩膜時，使形成像素電極部位對應掩膜板的部分透光部位，形成漏電極、源電極和數據線部位對應掩膜板的不透光部位，其他部位對應掩膜板的完全透光部位。