[發明專利]流體噴射裝置及其制作方法

無效

• 申請號: 200610077356.0
• 申請日: 2006-04-29
• 公開（公告）號: CN101062612A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 莊文賓;周忠誠
• 申請（專利權）人: 明基電通股份有限公司
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14;B41J2/16;B41J2/05
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種流體噴射裝置的制作方法，包括：

提供具有凹槽的第一襯底；

在該凹槽與該第一襯底表面保形地形成蝕刻停止層；

將第二襯底接合于該蝕刻停止層上，使得該第二襯底與該蝕刻停止層之間的該凹槽之中形成腔室；以及

去除該第一襯底。

2.如權利要求1所述的流體噴射裝置的制作方法，其中該第一、第二襯底為硅襯底。

3.如權利要求2所述的流體噴射裝置的制作方法，其中形成具有該凹槽的該襯底的方法包括：

首先于該第一襯底上形成圖案化遮蔽層；

蝕刻該第一襯底以形成該凹槽；以及

移除該圖案化遮蔽層。

4.如權利要求3所述的流體噴射裝置的制作方法，其中該圖案化遮蔽層包括氮化硅。

5.如權利要求4所述的流體噴射裝置的制作方法，其中蝕刻液為氫氧化鉀溶液。

6.如權利要求2所述的流體噴射裝置的制作方法，其中該蝕刻停止層為注入5×10¹⁸atom/cm³的硼離子于該第一襯底所形成的含硼硅層。

7.如權利要求6所述的流體噴射裝置的制作方法，其中該蝕刻停止層通過注入硼離子小于或等于1.0微米，接著施以熱擴散工藝使得該含硼硅層的擴散深度為10～20微米而形成。

8.如權利要求6所述的流體噴射裝置的制作方法，還包括施以熱氧化工藝，以在該腔室內的第二襯底表面與該蝕刻停止層的第一表面分別形成第一氧化層及第二氧化層，并且在該蝕刻停止層的第二表面形成第三氧化層。

9.如權利要求1所述的流體噴射裝置的制作方法，其中該第二襯底接合于該蝕刻停止層上的方法包括陽極接合或熱接合。

10.如權利要求1所述的流體噴射裝置的制作方法，還包括在該蝕刻停止層的第二表面形成加熱元件。

11.如權利要求10所述的流體噴射裝置的制作方法，其中該加熱元件包括金屬或非金屬。

12.如權利要求1所述的流體噴射裝置的制作方法，還包括在該第二襯底上形成保護層，使該第二襯底位于該蝕刻停止層與該保護層之間。

13.如權利要求10所述的流體噴射裝置的制作方法，還包括在該第二襯底上方形成外框，該外框與該第二襯底構成噴液室以提供液體通過，且該外框具有噴孔以提供液體噴出，該噴孔與該加熱元件相互對應。

14.一種流體噴射裝置，包括：

襯底；

蝕刻停止層，包括第一表面及第二表面，該第一表面與該襯底形成腔室，該腔室呈現真空，以隔絕該流體噴射裝置產生的熱散失；

加熱元件，設置于該蝕刻停止層的第二表面上；以及

外框，設置于該襯底上表面，以構成噴液室，該外框具有噴孔，以提供液體通過，且該噴孔與該加熱元件相互對應。

15.如權利要求14所述的流體噴射裝置，其中該襯底為硅襯底。

16.如權利要求15所述的流體噴射裝置，其中該蝕刻停止層為硼摻雜層。

17.如權利要求16所述的流體噴射裝置，其中該襯底的上表面及該蝕刻停止層的第一表面分別形成第一氧化層及第二氧化層，該第二表面還設置第三氧化層。

18.如權利要求14所述的流體噴射裝置，其中該襯底的下表面還包括保護層。

19.如權利要求18所述的流體噴射裝置，其中該保護層為氮化硅。

20.如權利要求14所述的流體噴射裝置，其中該加熱元件包括金屬或非金屬。