[發(fā)明專利]圖像感測元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610077349.0
• 申請日: 2006-04-29
• 公開（公告）號: CN101064279A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施俊吉
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種圖像感測元件的制作方法，包括:

提供基底；

于該基底內(nèi)形成多個(gè)淺溝隔離，用以隔離并定義出多個(gè)有源區(qū)域，且該多個(gè)有源區(qū)域內(nèi)分別包括光電二極管的光感測區(qū)；

進(jìn)行局部硅氧化工藝，以于該光電二極管的光感測區(qū)內(nèi)的基底表面分別形成局部硅氧化絕緣層，該局部硅氧化絕緣層完全覆蓋該光電二極管的光感測區(qū)；

于該多個(gè)有源區(qū)域內(nèi)分別形成晶體管的柵極，且該柵極覆蓋部分該局部硅氧化絕緣層；以及

于該基底中形成多個(gè)摻雜區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該淺溝隔離的制作方法包括:

于該基底表面形成圖案化硬掩模層，用以定義該多個(gè)淺溝隔離的位置；

進(jìn)行干蝕刻工藝，蝕刻未被該圖案化硬掩模層覆蓋的該基底，以形成多個(gè)淺溝；

進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，以于該基底表面形成第一介電層，且該第一介電層填滿該多個(gè)淺溝；以及

進(jìn)行平坦化工藝，去除該基底表面的該第一介電層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括光刻暨蝕刻工藝，進(jìn)行于該平坦化工藝之后，用以去除部分的該圖案化硬掩模層，而于該多個(gè)有源區(qū)域內(nèi)定義出該局部硅氧化絕緣層形成的位置。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括完全移除該圖案化硬掩模層的步驟，進(jìn)行于該局部硅氧化工藝之后。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括形成第二介電層的步驟，進(jìn)行于完全移除該圖案化硬掩模層之后，以于該基底表面形成該第二介電層。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中部分該第二介電層也為該柵極所覆蓋。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中被該柵極所覆蓋的該第二介電層與該局部硅氧化絕緣層是用以作為柵極絕緣層。

8.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該多個(gè)淺溝的深度為3000至4000埃。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括于該光電二極管的光感測區(qū)內(nèi)進(jìn)行形成光電二極管的步驟，且該步驟包括:

進(jìn)行輕離子注入工藝，以于該光電二極管的光感測區(qū)內(nèi)形成輕摻雜層；以及

進(jìn)行重離子注入工藝，以于該輕摻雜層上形成重?fù)诫s層。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該光電二極管的步驟進(jìn)行于該局部硅氧化工藝之前。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該光電二極管的步驟進(jìn)行于該局部硅氧化工藝之后與形成該柵極之前。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該光電二極管的步驟與形成該多個(gè)摻雜區(qū)的步驟同時(shí)進(jìn)行。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該光電二極管是鉗制型光電二極管。

14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該局部硅氧化絕緣層覆蓋該光電二極管，且作為該光電二極管的保護(hù)層。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該局部硅氧化絕緣層的厚度為100-1000埃。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括于形成該局部硅氧化絕緣層后，于該基底表面形成介電層。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該介電層也為該柵極所覆蓋，用以作為該柵極的柵極絕緣層。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中被該柵極覆蓋的該局部硅氧化絕緣層是用以作為該柵極的柵極絕緣層。

19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該摻雜區(qū)形成于該柵極未跨接于該局部硅氧化絕緣層的一側(cè)的基底中。

20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該方法是用以制作4晶體管圖像感測元件。

21.一種圖像感測元件，包括:

基底；

淺溝隔離，用以定義出有源區(qū)域；

光電二極管，設(shè)置于該有源區(qū)域內(nèi)的該基底中；

局部硅氧化絕緣層，完全覆蓋該光電二極管的表面；

柵極，設(shè)置于該有源區(qū)域內(nèi)的基底表面，且覆蓋部分該局部硅氧化絕緣層；以及

摻雜區(qū)，設(shè)置于該基底中。

22.如權(quán)利要求21所述的圖像感測元件，其中該淺溝隔離的深度為3000至4000埃。